一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置和方法制造方法及图纸

技术编号:40576494 阅读:20 留言:0更新日期:2024-03-06 17:17
本发明专利技术公开了一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置和方法,包括公转平台(2)、自转平台、平板电极夹具(7)、侧壁掩膜遮挡板(3),所述自转平台安装在公转平台(2)上,公转平台(2)能带动自转平台绕轴线(1)作圆周转动,所述平板电极夹具(7)紧固在自转平台上,用于夹持固定平板电极(5),所述侧壁掩膜遮挡板(3)位于平板电极夹具(7)侧面,通过定位螺丝与平板电极夹具(7)紧固。所述平板电极夹具(7)、侧壁掩膜遮挡板(3)上部具有n片圆弧形挡片,用于夹持平板电极侧壁,n片挡片沿周向平均分布,分别对应平板电极表面的n个扇区,其中心轴线与自转平台的中心轴线重合。本发明专利技术实现了半球谐振陀螺所需的平板电极双面及侧壁金属膜层的镀制,获得高质量的双面平板电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板电极制造,具体涉及一种用于半球谐振陀螺部件平板电极的金属膜层镀制装置和方法。


技术介绍

1、半球谐振陀螺由于具有高精度、小体积、低成本等显著优点,近年来受到广泛关注。半球谐振陀螺所用平板电极本体材料为石英玻璃,为了与半球谐振子配合形成电容结构,实现电容式振动激励与信号检测,需在平板电极表面镀制金属膜层,形成导电结构,并通过光刻工艺进行电极图形化。第一代半球谐振陀螺采用单面平板电极和金属底座的设计方案,而第二代半球谐振陀螺普遍采用陶瓷基座和双面平板电极的设计方案,需要在平板电极双面镀制金属膜层,分别进行图形化形成8个彼此绝缘的电极扇区,并通过侧壁的金属膜层导通双面电极的对应区域。由于电极侧壁为曲面,无法使用光刻工艺进行图形化,必须使用镀膜工装对特定区域进行遮挡以保证不同电极扇区间的绝缘性,同时该镀膜工装必须保证电极正面和背面两个平面上的镀膜质量,避免划伤电极,这对于镀膜工装的设计合理性和加工精度提出了极高的要求。目前,使用磁控溅射方法镀制金属膜层的装置及方法的研究已被大量开展,但现有技术基本均针对平面工件,对半球谐振陀螺双面平板电极所需的双本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,包括公转平台(2)、自转平台、平板电极夹具(7)、侧壁掩膜遮挡板(3),

2.根据权利要求1所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述侧壁掩膜遮挡板(3)上部具有一片圆弧形挡片,所述平板电极夹具(7)上部具有n-1片圆弧形挡片。

3.根据权利要求2所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述挡片的圆周直径与平板电极侧壁直径相同,挡片高度比平板电极(5)侧壁高度稍高。

4.根据权利要求1或3所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述平...

【技术特征摘要】

1.一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,包括公转平台(2)、自转平台、平板电极夹具(7)、侧壁掩膜遮挡板(3),

2.根据权利要求1所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述侧壁掩膜遮挡板(3)上部具有一片圆弧形挡片,所述平板电极夹具(7)上部具有n-1片圆弧形挡片。

3.根据权利要求2所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述挡片的圆周直径与平板电极侧壁直径相同,挡片高度比平板电极(5)侧壁高度稍高。

4.根据权利要求1或3所述的一种半球谐振陀螺平板电极金属膜层镀制装置,其特征在于,所述平板电极夹具(7)上部具有内凹结构,凹坑为圆柱形,其直径比平板电极(5)直径稍大,其高度比平板电极高度稍高,所述凹坑外侧具有一圆环形平板电极支承面(8)用以支承平板电极表面,其宽度略大于平板电极表面边缘倒角宽度,其高度略高于凹坑底面高度。

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐海刚王宝军台云硕朱毅李泽章张传忠李新月秦玉霞钟润伍张超
申请(专利权)人:北京自动化控制设备研究所
类型:发明
国别省市:

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