【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体地，涉及一种阵列结构、半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1t1c的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。
2、相关技术中，基于垂直栅极全包围(vgaa，vertical gate all around)结构的晶体管的dram的尺寸很难进一步微缩。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提出一种阵列结构、半导体结构及其制作方法。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种阵列结构，包括：
3、多个存储单元、多条字线及多条位线；其中，每个所述存储单元包括存储结构和位于所述存储结构上方的晶体管；
4、所述晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，所述介质层覆盖所述柱状栅极的侧壁及底面，所述有源层至少覆盖所述介质层的侧壁，所述有源层的底面电...
【技术保护点】
1.一种阵列结构，其特征在于，包括：多个存储单元、多条字线及多条位线；其中，
2.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述有源层的材料包含以下至少之一：
3.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，每个所述存储结构包括下极板、电介质层和上极板，所述上极板电连接所述有源层的底面，所述阵列结构中的所有存储结构共用所述下极板。
4.根据权利要求3所述的阵列结构，其特征在于，每一所述有源层的底面面积小于每一所述上极板的顶面面积。
5.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述晶体管还包括隔离层，所述隔离层位于所述介质...
【技术特征摘要】
1.一种阵列结构，其特征在于，包括：多个存储单元、多条字线及多条位线；其中，
2.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述有源层的材料包含以下至少之一：
3.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，每个所述存储结构包括下极板、电介质层和上极板，所述上极板电连接所述有源层的底面，所述阵列结构中的所有存储结构共用所述下极板。
4.根据权利要求3所述的阵列结构，其特征在于，每一所述有源层的底面面积小于每一所述上极板的顶面面积。
5.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述晶体管还包括隔离层，所述隔离层位于所述介质层的底面与所述有源层底面之间。
6.根据权利要求1所述的阵列结构，其特征在于，所述晶体管的源极或漏极中的一者位于与所述位线接触的部分有源层中，所述晶体管的源极或漏极中的另一者位于所述有源层的底部。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上方的至少一个如权利要求1至6中任意一项所述的阵列结构。
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，肖德元，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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