【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子设备，特别涉及一种电容器的制备方法、电容器及电子设备。
技术介绍
1、在集成电路中，为了获得稳定的电源，需要在元件的电源端装设去耦电容。芯片级电容由于具有优化感抗、降低电容厚度等多种优势被广泛使用。随着科技的不断进步，电子设备对于电容的电容量的需求不断增高，目前芯片级电容的电容量已无法满足需求，因此，提高芯片级电容的电容量成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种电容器的制备方法、电容器及电子设备，此电容器的制备方法制备电容器的电容量相对较高。
2、所述技术方案如下：
3、本申请第一方面提供一种电容器的制备方法，包括：
4、提供衬底；
5、在衬底第一方向的一侧形成层组结构，层组结构包括多个第一介质层和多个电极层，多个第一介质层和多个电极层在第一方向上交错分布，多个电极层包括多个第一电极层和多个第二电极层，第一电极层和第二电极层的极性相反；
6、刻蚀层组结构，以使得层组结构形成电容单元；电容单元在第二方...
【技术保护点】
1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，在形成所述层组结构的过程中，所述第一电极层和所述第二电极层交错分布。
3.如权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述层组结构，以使得所述层组结构形成电容单元的方法包括：
4.如权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，在设置所述第二光刻胶之前还包括：进行光刻，以使得最远离所述衬底的所述电极层的第二端有第二长度的区域露出在所述第一光刻胶外侧；所述第二刻蚀操作的刻蚀深度为一层所述电极层的厚度和一层所述第一介质层的厚度之
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【技术特征摘要】
1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，在形成所述层组结构的过程中，所述第一电极层和所述第二电极层交错分布。
3.如权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述层组结构，以使得所述层组结构形成电容单元的方法包括：
4.如权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，在设置所述第二光刻胶之前还包括：进行光刻，以使得最远离所述衬底的所述电极层的第二端有第二长度的区域露出在所述第一光刻胶外侧；所述第二刻蚀操作的刻蚀深度为一层所述电极层的厚度和一层所述第一介质层的厚度之和。
5.如权利要求4所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述电极层的数量为2n，在形成所述电容单元的过程中，所述第一刻蚀操作的次数为n-1。
6.如权利要求4所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一长度与所述第二长度相等。
7.如权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀操作之后还包括：去除所述第一光刻胶和...
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