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本公开实施例公开了一种阵列结构、半导体结构及其制造方法，其中，所述阵列结构包括：多个存储单元、多条字线及多条位线；其中，每个所述存储单元包括存储结构和位于所述存储结构上方的晶体管；所述晶体管包括柱状栅极、介质层及有源层，所述介质层覆盖所述柱...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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