【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种发光装置。
技术介绍
1、现行的发光装置(如显示设备、光源或像素电路)会利用一信号来驱动发光组件，从而使发光组件提供输出光。然而，发光装置在运作或在制作过程中时，发光装置的存储电容器的静电放电(electrostatic discharge，esd)可能会击伤发光装置中邻近于电容器的晶体管。当邻近于存储电容器的晶体管被击伤时，这些晶体管的临界电压值会发生变动进而发生驼峰效应(hump effect)。驼峰效应会使这些晶体管的开关操作或在次临界区域的的操作发生异常。使得发光装置造成亮度不均的问题。由此可知，如何降低发光装置的电容器所发生的静电放电，是本领域技术人员的研究重点之一。
技术实现思路
1、本揭露提供一种发光装置，能够降低发光装置的电容器所发生的静电放电。
2、根据本揭露的实施例，发光装置包括数据输入电路、驱动晶体管、发光组件、存储电容器以及静电保护电路。驱动晶体管具有控制端以及第一端。发光组件耦接于驱动晶体管的第一端。存储电容器耦接于数据输入电路与驱动晶体管的控制端之间。静电保护电路耦接于数据输入电路与存储电容器之间的节点。
3、基于上述，静电保护电路耦接于数据输入电路与存储电容器之间的节点。静电保护电路能够避免发光装置于制程中受到静电击伤情况。邻近于存储电容器的晶体管被静电放电所击伤的风险会被降低。如此一来，驼峰效应会被降低，使得发光装置能够维持良好的亮度均匀性为稳定性。
【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路包括彼此并联的第一晶体管以及第二晶体管，
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路还耦接至低参考电压。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路包括多晶硅半导体。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述多晶硅半导体耦接于低参考电压与高参考电压之间。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述数据输入电路包括：
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括：
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括：
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括：
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路包括彼此并联的第一晶体管以及第二晶体管，
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路还耦接至低参考电压。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述静电保护电路包括多晶硅半导体。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠乐，洪硕廷，朱庭瑶，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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