【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光子探测，具体而言，涉及一种光电倍增管及其制造方法。
技术介绍
1、相关技术中的近贴聚焦型的平板多阳极光电倍增管的信号引出结构，需要一定长度的电缆连接到专门的电子学前端处理板。而这段电缆则会造成一定程度的信号衰减并引入噪声，从而降低了信噪比。特别是光电倍增管输出信号前沿极快，高频成分更多，而电缆的引入对高频成分的影响更大。
2、如上所述，如何提高光电倍增管的信噪比成为亟待解决的问题。
3、在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种光电倍增管及其制造方法，至少在一定程度上提高光电倍增管的信噪比。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一方面，提供一种光电倍增管，包括：入射窗，用于透过待探测的光子；光阴极，用于将通过所述入射窗入射的光子基于光电效应转换为光电子并射出；倍增结构，用于将所述光阴极出射的光电子进行倍增，射出放大的电子流；光电探测阳极，用于探测所述倍增结构出射的电子流并输出待测信号；陶瓷基印制电路板，用于将所述光电探测阳极输出的待测信号进行处理后导出到真空容器之外；前端电子学器件，用于读出所述陶瓷基印制电路板导出的信号；所述真空容器，用于容纳所述光阴极、所述倍增结构和所述光电探测阳极；其中，所述光电探测阳极和所述前端电子学器件
4、根据本公开的一实施例，所述陶瓷基印制电路板设有底层、信号层和器件层，所述底层、所述信号层和所述器件层沿所述光电探测阳极指向所述陶瓷基印制电路板方向依次电连接，所述底层与所述信号层之间、所述信号层与所述器件层之间除电连接部分外均通过陶瓷材料绝缘，其中：所述底层与所述光电探测阳极电连接；所述信号层用于布线并形成信号回路；所述前端电子学器件设置在所述器件层。
5、根据本公开的一实施例，所述底层、所述信号层和所述器件层分别通过电镀和/或刻蚀方式键合到对应的陶瓷材料上。
6、根据本公开的一实施例，所述光电探测阳极为单片阳极；或，所述光电探测阳极为阵列排列的具有时间分辨和位置分辨的阳极结构。
7、根据本公开的一实施例，所述光电探测阳极为单片阳极，所述单片阳极为圆形；或，所述单片阳极为方形；或，所述单片阳极为菱形；或，所述单片阳极为不规则形状。
8、根据本公开的一实施例，所述光电探测阳极为阵列排列的具有时间分辨和位置分辨的阳极结构，其中：所述阳极结构由多个基本结构单元无缝隙排列而成；或，所述阳极结构由多个基本结构单元不规则排列而成。
9、根据本公开的一实施例，所述信号层包括地层和多个布线层，其中：所述布线层用于布线；所述地层为通过电镀和/或刻蚀方式键合到所述信号层对应的陶瓷材料上的铜平面，用于形成信号回路。
10、根据本公开的一实施例，所述前端电子学器件设置在所述器件层，包括：所述前端电子学器件以焊接和/或打线方式固定在所述器件层对应的陶瓷材料上。
11、根据本公开的一实施例，所述倍增结构为电子倍增器，所述电子倍增器为打拿极、微通道板、具有电子响应的半导体器件中的一种，或为打拿极、微通道板、具有电子响应的半导体器件中任意多种组合而成的组合结构。
12、根据本公开的另一方面，提供一种光电倍增管的制造方法，包括：将光阴极、倍增结构与光电探测阳极依次固定于壳体中，所述壳体上设有入射窗，所述入射窗、所述光阴极、所述倍增结构和所述光电探测阳极依次布置；将前端电子学器件固定在陶瓷基印制电路板上；将所述陶瓷基印制电路板与所述壳体真空封装，其中，所述陶瓷基板在所述真空容器内与所述光电探测阳极电连接，所述前端电子学器件在所述真空容器外。
13、根据本公开的一实施例，所述制造方法还包括：将底层、信号层和器件层分别通过电镀和/或刻蚀方式键合到对应的陶瓷材料上，获得所述陶瓷基印制电路板，其中，所述底层与所述光电探测阳极电连接，所述信号层用于布线并形成信号回路，所述前端电子学器件固定在所述器件层上。
14、根据本公开的一实施例，所述前端电子学器件固定在所述器件层上，包括：所述前端电子学器件以焊接和/或打线方式固定在所述器件层对应的陶瓷材料上。
15、本公开的实施例提供的光电倍增管，通过陶瓷基印制电路板探测倍增结构出射的电子流并将待测信号输出到真空容器之外，一方面将倍增结构的电子流的待测信号直接引入到电子学前端电路，省去了常规的电缆连接，缩小了噪声耦合路径和信号回流路径，极大的降低了前端噪声水平，保留了信号高频成分，有效提高了信噪比，并有效改善光电倍增管的时间分辨等性能。
16、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本公开。
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1.一种光电倍增管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电倍增管，其特征在于，所述陶瓷基印制电路板设有底层、信号层和器件层，所述底层、所述信号层和所述器件层沿所述光电探测阳极指向所述陶瓷基印制电路板方向依次电连接，所述底层与所述信号层之间、所述信号层与所述器件层之间除电连接部分外均通过陶瓷材料绝缘，其中：
3.根据权利要求2所述的光电倍增管，其特征在于，所述底层、所述信号层和所述器件层分别通过电镀和/或刻蚀方式键合到对应的陶瓷材料上。
4.根据权利要求2或3所述的光电倍增管，其特征在于，所述信号层包括地层和多个布线层，其中：
5.根据权利要求2或3所述的光电倍增管，其特征在于，所述前端电子学器件设置在所述器件层，包括：
6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电倍增管，其特征在于，
7.根据权利要求1至3中任一项所述的光电倍增管，其特征在于，所述光电探测阳极为单片阳极，所述单片阳极为圆形；或，
8.根据权利要求1至3中任一项所述的光电倍增管，其特征在于，所述光电探测阳极为阵列排列的具有时间
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光电倍增管，其特征在于，所述倍增结构为电子倍增器，所述电子倍增器为打拿极、微通道板、具有电子响应的半导体器件中的一种，或为打拿极、微通道板、具有电子响应的半导体器件中任意多种组合而成的组合结构。
10.一种光电倍增管的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述前端电子学器件固定在所述器件层上，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光电倍增管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电倍增管，其特征在于，所述陶瓷基印制电路板设有底层、信号层和器件层，所述底层、所述信号层和所述器件层沿所述光电探测阳极指向所述陶瓷基印制电路板方向依次电连接，所述底层与所述信号层之间、所述信号层与所述器件层之间除电连接部分外均通过陶瓷材料绝缘，其中：
3.根据权利要求2所述的光电倍增管，其特征在于，所述底层、所述信号层和所述器件层分别通过电镀和/或刻蚀方式键合到对应的陶瓷材料上。
4.根据权利要求2或3所述的光电倍增管，其特征在于，所述信号层包括地层和多个布线层，其中：
5.根据权利要求2或3所述的光电倍增管，其特征在于，所述前端电子学器件设置在所述器件层，包括：
6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电倍增管，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱森，江晓山，王贻芳，胡俊，宁哲，严雄波，马丽双，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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