一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法技术方案

本发明专利技术公开了一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，属于薄膜传感器与微系统封装技术领域，具体为：以SOI为封装基板，先批量制备一体化集成的传感器，制备隔离层，开金属化通孔引出接口；刻蚀埋置腔，安装功能芯片，制备隔离层，在传感器和功能芯片对应区域开金属化通孔引出接口；封装基板背面减薄；通过重布线传感器和功能芯片的接口引出至微系统I/O所在位置，制备隔离层，开金属化通孔并植焊球阵列，完成封装。本发明专利技术可极大缩短传感器引出的互连距离，提升传感器的测量精度和响应速度，简化传感器与功能芯片的集成工艺，实现微系统中功能芯片与传感器的高密度集成和一体化批量制备，降低集成多传感器的微系统芯片的单片成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜传感器与微系统封装，具体涉及一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法。

技术介绍

1、随着微系统集成度的增加，微系统在运行中出现故障的几率大幅增加，需要通过集成传感器技术，实现对微系统内部多参数多点位的测量。通过先进封装技术，将多传感器阵列一体化集成到微系统内，以原位检测微系统内温度、应变等参数，进而重构微系统的温度场和应力场，分析微系统健康状态。这是未来微系统健康检测的主要发展方向，其核心是解决多传感器与微系统的晶圆级集成方法。

2、目前，常见的功能芯片与传感器的集成方法有：(1)分别制备分立传感器芯片与功能芯片，贴在同一基板上，通过引线键合的方法进行互联；(2)对功能芯片采用晶圆级封装，将传感器芯片贴合在功能芯片上或者基板其他预留空间上，最后采用一体化封装集成。

3、一方面，上述集成方法先采用不同功能的传感器芯片单独流片，再切割成单颗传感器芯片进行封装，会增加产品的加工周期和成本；另一方面，对不同传感器独立制备封装，引入的传感器体积较大，会降低系统集成度，与电子系统轻、薄、小的发展方向不契合。此外，现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述传感器为通过半导体工艺或与半导体兼容的工艺制备的薄膜传感器。

3.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述传感器为温度传感器、应变传感器、电流传感器中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一隔离层和第二隔离层的材料为SiO2或Si3N4，第三隔离层的材料为聚酰亚胺、SiO2或Si3N4。p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述传感器为通过半导体工艺或与半导体兼容的工艺制备的薄膜传感器。

3.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述传感器为温度传感器、应变传感器、电流传感器中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一隔离层和第二隔离层的材料为sio2或si3n4，第三隔离层的材料为聚酰亚胺、sio2或si3n4。

5.根据权利要求1所述集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一金属化通孔、第二金属化通孔、第三金属化通孔和第四金属化通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴开拓，王韬，张万里，闫裔超，邬春阳，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：