一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构技术

本发明专利技术公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构，方法包括：在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层，所述Pad层为与金层低粘附力的介质层；在芯片上制作P面电极，所述P面电极的一部分位于所述Pad层上；基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力，在金丝与P面电极键合时，使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起，且金丝与P面电极保持连接。本发明专利技术通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层，通过键合工艺金丝键合时，将P电极层拉起来，相当于大大减小了P面电极金属面积，从而大大的降低了芯片电极电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光器，更具体地，涉及一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构。

技术介绍

1、半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类工作物质产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(gaas)、硫化镉(cds)、磷化铟(inp)、硫化锌(zns)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

2、因为半导体激光器具有体积小、重量轻、成本低、易规模化生产等优点，其在光存储、光通讯、国防等领域有广阔的发展前景。随着半导体激光器器件应用越来越广泛，对半导体激光器调制速率要求越来越高。在提高半导体激光器速率方面，除了在外延片结构层面增加微分增益，在电极制备工艺过程中也可以通过降低电极电容来提升半导体激光器调制带宽。而降低电极电容一般是采用缩减p电极面积和在p电极下面填充低介电常数材料的方法。但是p电极面积不能一直减少，需要保留一定面积用于引线键合，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述Pad层(3)包括通过光刻胶经过高温高压钝化形成的光刻胶钝化层；所述光刻胶钝化层由EPG512光刻胶在匀胶转速3000-4500rad/s、高温200-250氏度、真空0.005Pa以内高固形成。

3.根据权利要求1所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述P面电极(4)包括设置在所述Pad层(3)上的圆形电极焊盘，所述电极焊盘直径为70±5um；所述金丝(6)直径为25um，所述金丝(6)与所述电极焊盘焊接键合时，形成的焊球直...

【技术特征摘要】

1.一种降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述pad层(3)包括通过光刻胶经过高温高压钝化形成的光刻胶钝化层；所述光刻胶钝化层由epg512光刻胶在匀胶转速3000-4500rad/s、高温200-250氏度、真空0.005pa以内高固形成。

3.根据权利要求1所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述p面电极(4)包括设置在所述pad层(3)上的圆形电极焊盘，所述电极焊盘直径为70±5um；所述金丝(6)直径为25um，所述金丝(6)与所述电极焊盘焊接键合时，形成的焊球直径为50-60um。

4.根据权利要求3所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述pad层(3)厚度为1-1.5um，所述pad层(3)和金层的粘力低于10cn；所述p面电极(4)和所述金丝(6)键合之后的粘力为30-50cn；所述金丝(6)键合之后回拉的力为15cn以上。

5.根据权利要求1所述的降低激光器芯片电容的制备方法，其特征在于，所述钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：程宗鸿，李亮，向上，熊永华，李海涛，马卫东，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：