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一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构技术
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文档序号:40559879
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本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构,方法包括:在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层,所述Pad层为与金层低粘附力的介质层;在芯片上制作P面电极,所述P面电极的一部分位于所述Pad层上;基于经过钝化的Pad层与金层的低...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。
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