一种双层钝化保护结构二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：扩散；步骤2：沟槽腐蚀；步骤3：第一钝化保护结构成膜；步骤4：第二钝化保护结构成膜；步骤5：电极区去膜；步骤6：电极区金属化；该方法可制备出满足标准参数的双层钝化保护结构的二极管，相对于三层钝化保护结构的二极管来说，既简化了制备工序，又降低了生产成本，因而解决了现有二极管制备工序较为复杂及成本较高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种双层钝化保护结构二极管的制备方法。

技术介绍

1、传统二极管的主体为n+层、n层和p+层结构，各类二极管的区别在于沟槽结构不同和钝化保护层不同。其中，沟槽结构通常分为单沟槽、双沟槽和分压环结构，钝化保护层通常分为单层结构和三层结构，单层结构通常采用玻璃、聚酰亚胺、硅橡胶等作为保护层，三层结构通常采用sipos、ni3n4、sio2、玻璃等作为保护层。

2、现阶段，二极管采用三层钝化结构是非常成熟的技术，如公开号为cn219553639u的专利文献就公开了一种稳定型瞬态抑制二极管，其包括从下而上依次连接的n+层、n层、p+层；其中，p+层上设有向下蚀刻至n层的椭圆结构的蚀刻槽；蚀刻槽上设有从下而上依次连接的sipos膜、si3n4膜和sio2膜，sipos膜、si3n4膜和sio2膜端部分别延伸至p+层的顶面，并与器件的边缘设有间距。该技术通过将sipos膜钝化与si3n4及sio2膜钝化方式结合，在sipos膜沉积后，利用lpcvd在其表面继续生长一层si3n4及致密的sio2膜，具有结构简单、制造方便的显本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：所述第一钝化保护膜为Sipos膜、SiO2膜或SI3N4膜，所述第二钝化保护膜为SiO2膜或SI3N4膜，且第一钝化保护膜与第二钝化保护膜为不同的膜。

3.根据权利要求2所述的一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：所述Sipos膜的形成方法为：由N2O和SIH4采用低压化学气相沉积法在600±70℃、0.25-0.28×133．3Pa的条件下经热分解反应后淀积而成。

4.根据权利要求2所述的一种双层...

【技术特征摘要】

1.一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：所述第一钝化保护膜为sipos膜、sio2膜或si3n4膜，所述第二钝化保护膜为sio2膜或si3n4膜，且第一钝化保护膜与第二钝化保护膜为不同的膜。

3.根据权利要求2所述的一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，其特征在于：所述sipos膜的形成方法为：由n2o和sih4采用低压化学气相沉积法在600±70℃、0.25-0.28×133．3pa的条件下经热分解反应后淀积而成。

4.根据权利要求2所述的一种双层钝化保护结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓华鲜，
申请(专利权)人：乐山希尔电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：