【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料的制备领域，具体涉及一种横模可控的光发射器的制备方法。
技术介绍
1、直接带隙的单层过渡金属硫族化合物作为iii-v和ii-vi半导体后出现的典型半导体材料，表现出强烈的激子发射和吸收特征，为研究光与物质相互作用的基本物理特性和开发激子与光子耦合的器件提供了一个二维(2d)半导体平台。到目前为止，许多工作都致力于通过将这些2d半导体与不同的光子结构集成来研究有趣的激子-光子相互作用。特别是，在将tmds单层嵌入平面微腔中后，在弱耦合和强耦合区域中观察到了珀塞尔效应和强耦合激子极化激元的形成，其中腔光子和激子的耦合强度可以参考量子阱微腔的标准来估计。
2、通常，平面微腔(即一维光子晶体)中的光学约束是沿纵向形成的，但横向电磁场的约束很弱，这导致自发发射耦合因子β是有限的；例如在gaas量子阱微腔中小于0.1。为了增强β并开发单模发射源，在平面微腔中对横模的控制提出了很高的要求。微腔中的横模可能呈现复杂的场模式，并涉及多个因素，如横向尺寸、形状和边界条件等。例如，在基于传统iii-v半导体的垂直腔表面发射...
【技术保护点】
1.一种横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
8.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的横模可控的光...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚景智，张学文，张欣雨，胡韩伟，肖卫东，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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