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本发明公开了一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：扩散；步骤2：沟槽腐蚀；步骤3：第一钝化保护结构成膜；步骤4：第二钝化保护结构成膜；步骤5：电极区去膜；步骤6：电极区金属化；该方法可制备出满足标准参数的双层钝化保护结...
该专利属于乐山希尔电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐山希尔电子股份有限公司授权不得商用。

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