【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子钯活化液，具体涉及一种化学镀铜用离子钯活化液及其制备方法。
技术介绍
1、化学镀铜是印制电路板在生产过程中的一种常用工艺，通常也叫作沉铜。在化学镀铜前，塑料基材必须进行活化处理，使基材表面吸附一层具有催化作用的活性粒子，通常使用的是金属钯粒子，铜离子首先在这些具有催化活性的钯粒子上被还原为铜原子，之后被还原的铜原子本身成为铜离子的催化中心，使得铜离子不断在新形成的铜原子表面发生还原反应，铜层不断沉积，最终在基材表面形成均匀的铜导电层。在化学镀铜的过程中，活化工艺起着至关重要的作用，直接决定了所镀铜层的质量，目前在生产中使用最多的是离子钯活化液，用来完成对基材表面的活化。随着印制电路板高密度互联技术和电子元器件集成化、小型化的发展，电路板中的线路越来越复杂，孔径越来越小，这就对离子钯活化液的活化性能提出了更高的要求。
2、申请号为cn202010783640.x的专利公开了一种用于水平沉铜的离子钯活化液，该专利中离子钯活化液存在的问题是钯离子浓度过低，容易造成漏镀，并且活化所需时间过长，生产效率低。
3、因此，开发出一种活化效果好、效率高且使用寿命长的离子钯活化液十分重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺点，提供一种化学镀铜用离子钯活化液及其制备方法。本专利技术离子钯活化液活化性能好，表面张力低，对孔壁的润湿性强，在化学镀铜的过程中能够使铜层均匀地沉积在孔壁上，所得电路板的背光等级高，铜层附着力好，而且活化液的稳定
2、为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是：一种化学镀铜用离子钯活化液，所述离子钯活化液包括硫酸钯、碳纳米粉、乳化剂、稳定剂、ph调节剂以及去离子水。
3、进一步地；每升离子钯活化液包括以下组分：硫酸钯30～100mg，碳纳米粉0.1～1g，乳化剂10～30mg，稳定剂5～50mg，其余为去离子水，用ph调节剂将ph值调至9～11。
4、进一步地；所述碳纳米粉平均粒径为20nm。
5、进一步地；所述乳化剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、异辛基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠中的一种或两种的组合。
6、进一步地；所述稳定剂选自维生素c、硼酸、肉桂醛中的一种或至少两种的组合。
7、进一步地；所述ph调节剂选自氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、硫酸、磷酸中的一种或至少两种的组合。
8、本专利技术的另一技术方案是：一种所述的化学镀铜用离子钯活化液的制备方法，包括以下步骤：将硫酸钯、碳纳米粉、去离子水混合，搅拌1～2小时后加入乳化剂、稳定剂，继续搅拌1～2小时后加入ph调节剂将ph值调至9～11，继续搅拌2～3小时后静置12～24小时后得到离子钯活化液。
9、本专利技术的有益效果：本专利技术使用碳纳米粉代替传统的络合剂，比表面积大，吸附性能强，活性点位多，能够吸附更多的钯离子，并且与基材的结合力更强，从而达到较好的活化效果，提高化学镀铜的背光效果和镀层的附着力。本专利技术使用的乳化剂能够降低表面张力，提高溶液活性，并且使碳纳米粉均匀分散在溶液中，避免发生沉降。
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1.一种化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述离子钯活化液包括硫酸钯、碳纳米粉、乳化剂、稳定剂、pH调节剂以及去离子水。
2.根据权利要求1所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：每升离子钯活化液包括以下组分：硫酸钯30～100mg，碳纳米粉0.1～1g，乳化剂10～30mg，稳定剂5～50mg，其余为去离子水，用pH调节剂将pH值调至9～11。
3.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述碳纳米粉平均粒径为20nm。
4.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述乳化剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、异辛基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠中的一种或两种的组合。
5.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述稳定剂选自维生素C、硼酸、肉桂醛中的一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述pH调节剂选自氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、硫酸、磷酸中的一种或至少两种的组合。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的化学镀铜用
...【技术特征摘要】
1.一种化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述离子钯活化液包括硫酸钯、碳纳米粉、乳化剂、稳定剂、ph调节剂以及去离子水。
2.根据权利要求1所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：每升离子钯活化液包括以下组分：硫酸钯30～100mg，碳纳米粉0.1～1g，乳化剂10～30mg，稳定剂5～50mg，其余为去离子水，用ph调节剂将ph值调至9～11。
3.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述碳纳米粉平均粒径为20nm。
4.根据权利要求2所述的化学镀铜用离子钯活化液，其特征在于：所述乳化剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、异辛基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾洪涛，刘艺哲，王泽娟，赵雷杰，王艳辉，陈庆安，杨国强，申文飞，李丽，
申请(专利权)人：河北工程大学，
类型：发明
国别省市：
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