一种制备低电阻率衬底的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备低电阻率衬底的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将半导体衬底和超临界态混合物反应，得到低电阻率衬底。通过将具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素的第二物质溶解在超临界态的第一物质内，获得超临界态混合物，能够渗透到纳米结构中，然后用超临界态混合物和半导体反应，即可使得具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素能够注入到半导体衬底的材料内部，获得低电阻率衬底，修复半导体晶体内部缺陷，具有高效、低成本、质量好的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制备，尤其涉及一种制备低电阻率衬底的方法。

技术介绍

1、氮化镓是一种优良的半导体材料，具有宽带隙、高饱和漂移速度和较高的热导率等特点。氮化镓导电型衬底具有广泛的应用前景，涵盖了高频电子器件、光电子器件、光电探测器、功率电子器件和太阳能电池等多个领域。这些应用的发展有望推动相关技术的进步，并在各个领域中发挥重要作用。

2、低电阻氮化镓衬底技术通过在氮化镓衬底上引入特殊的掺杂剂，可以调整载流子浓度和类型(例如n型或p型)和位错密度，以降低衬底的电阻，从而提高器件的性能。

3、这种技术可以通过多种方法实现，如离子注入(ion implantation)、离子束辅助沉积(ion beam assisted deposition,ibad)和离子束外延(ion beam epitaxy,ibe)等。低电阻氮化镓衬底技术背后的核心目标是通过优化衬底材料的电阻性能，提高氮化镓器件的工作效率和可靠性。

4、降低氮化镓材料的电阻率对于许多电子器件的性能和效率至关重要。高电阻率会导致信号损失、热量产生和功耗增加，限制了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述半导体衬底为氮化镓单晶衬底，所述第二物质中具有N、Si、Mg、O或Ge元素。

3.根据权利要求2所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述第一物质为氮气，所述第二物质为氧气。

4.根据权利要求3所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述对所述第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质的步骤中，处理温度大于等于-147℃，处理压力大于等于3.4Mpa。

5.根据权利要求3所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述半导体衬底为氮化镓单晶衬底，所述第二物质中具有n、si、mg、o或ge元素。

3.根据权利要求2所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述第一物质为氮气，所述第二物质为氧气。

4.根据权利要求3所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述对所述第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质的步骤中，处理温度大于等于-147℃，处理压力大于等于3.4mpa。

5.根据权利要求3所述的制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，所述将所述半导体衬底和所述超临界态混合物反应的步骤中，处理温度大于等于-118.6℃，处理压力大于等于5.04mpa。

6.根据权利要求1所述的制备低电阻率衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，黄烨莹，秦宏志，张冠张，黎晓华，贺威，朱德亮，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：