【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅基前驱体材料的合成，尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。
技术介绍
1、硅基前驱体材料是集成电路电子功能材料重要的组成部分，在半导体制造过程中，前驱体材料是薄膜工艺的关键原材料，通过包括物理沉积（pvd)、化学气相沉积（cvd)和原子层沉积（ald)扽工艺制备金属、氧化物、氮化物薄膜，从而实现光学、电学等方面的特殊性能，随着集成电路先进制程不断进步，3d nand等存储芯片叠堆层数快速增长带来了半导体前驱体材料需求的大幅增加。
2、四甲基硅烷（tms)是一种重要的有机硅化合物，它是硅基前驱体材料的一种，是无色、易挥发的液体，化学式为（ch3)4si，在国防军事工业、航空航天、芯片制造、新型太阳能电池、移动通讯及其他电子产品方面都有着极其广泛的应用，而在半导体领域，四甲基硅烷是集成电路制造中ald和cvd薄膜沉积工艺的核心材料，其广泛用于集成电路、光伏、新型显示和led等战略新兴产业。目前常见的四甲基硅烷的合成工艺有氯甲烷和硅粉在催化剂的条件下生成四甲基硅烷、三甲基氯硅烷自身发生歧化反应生成四甲基硅烷等，上述的合...
【技术保护点】
1.一种四甲基硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚和二乙二醇二甲醚中的一种或几种。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属锂和有机溶剂的用量比为21.9~41.6g：800~1200mL。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合在回流和搅拌的条件下进行。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，加入所述三甲基氯硅烷的温度为-40~-30℃；
6.如权利要求1或5所述的制...
【技术特征摘要】
1.一种四甲基硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚和二乙二醇二甲醚中的一种或几种。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属锂和有机溶剂的用量比为21.9~41.6g：800~1200ml。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合在回流和搅拌的条件下进行。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，加入...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，徐昕，王乐强，张大伟，
申请(专利权)人：全椒亚格泰电子新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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