基于自组装技术的低热阻抗热界面材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于热界面材料领域，尤其涉及一种基于自组装技术的低热阻抗热界面材料及其制备方法和应用。按质量百分比，所述组合物包括2～25wt％的基质材料、75～98wt％的自组装改性球形α‑氧化铝，0～1wt％的助剂；所述自组装改性球形α‑氧化铝包括至少两种不同粒径，且通过自组装分子改性后的α‑氧化铝。本发明专利技术的低热阻抗热界面材料，在高填充量下，能够改善自身粘度和触变性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于热界面材料领域，尤其涉及一种基于自组装技术的低热阻抗热界面材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、目前集成电路芯片等电子设备趋于微型化和集成化，功率密度极大的增加，这势必导致设备产生的热量也会更多，而电子设备散发的热量应满足设备的产生的热量，但是就目前的情况来看，热耗散成为具有挑战性的问题。

2、热界面材料(thermal interface materials,tims)作为电子器件有效散热的介质，常被填充在电子设备发热源和散热器之间，以抵消部件之间因硬连接造成的接触热阻较大、热膨胀不匹配等问题。而评价热界面材料散热能力的标准是有效热阻抗θeff，θeff可以表述为：

3、

4、其中，blt代表tims填充在电子设备发热源和散热器之间时产生的厚度，下文简称为粘合层厚度，目前的应用场景下粘合层厚度通常低至微米级；ktim是热界面材料的热导率；θc是热界面材料与上下部件之间的接触热阻之和。

5、现在关于提升热界面材料在电子器件中热耗散能力的研究主要聚焦在两个方面：一是提高热界面材料的热导率，因此许本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，按质量百分比，所述组合物包括2～25wt％的基质材料、75～98wt％的自组装改性球形α-氧化铝，0～1wt％的助剂，所述自组装改性球形α-氧化铝包括至少两种不同粒径，且通过自组装分子改性后的α-氧化铝。

2.根据权利要求1所述的基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，所述基质材料选自液体有机硅凝胶、硅油中的至少一种，所述液体有机硅凝胶选自液体甲基乙烯基硅凝胶、液体环氧基封端的硅凝胶、液体聚氨酯改性硅凝胶中至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其...

【技术特征摘要】

1.一种基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，按质量百分比，所述组合物包括2～25wt％的基质材料、75～98wt％的自组装改性球形α-氧化铝，0～1wt％的助剂，所述自组装改性球形α-氧化铝包括至少两种不同粒径，且通过自组装分子改性后的α-氧化铝。

2.根据权利要求1所述的基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，所述基质材料选自液体有机硅凝胶、硅油中的至少一种，所述液体有机硅凝胶选自液体甲基乙烯基硅凝胶、液体环氧基封端的硅凝胶、液体聚氨酯改性硅凝胶中至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，所述自组装分子改性包括将球形α-氧化铝先与食人鱼溶液作用，再与自组装分子进行自组装改性。

4.根据权利要求3所述的基于自组装技术的低热阻抗热界面材料组合物，其特征在于，当存在第三种或以上不同粒径氧化铝时，第三种或以上不同粒径氧化铝的粒径依次减小。

5.根据权利要求3或4所述的基于自组装技术的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：林悦，黄家劲，何秀，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：