【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶组合物及光固化，具体涉及一种负性光刻胶组合物及其制备方法和应用，及其制成负性光刻胶形成图案的方法以及该负性光刻胶的应用。
技术介绍
1、光刻胶是集成电路制造中的一种关键材料，是通过不同光源的照射或辐射后溶解度发生变化的耐蚀薄膜材料。光刻胶分为正胶和负胶，正胶是光照区域变成可溶物质；负胶是光照区域形成不可溶物质。在基材表面涂上光刻胶，再经前烘除去溶剂，形成均匀树脂膜，用辐射光源通过掩模板照射基材，然后照射或非照射部分在显影剂中溶解，这样就成功地把掩模板的图形复制到光刻胶薄膜上。再通过一个离子蚀刻的程序把光刻胶薄膜上的图形精巧地雕刻在硅片上，光刻胶起到保护底层基材的作用(蚀刻屏障)。
2、负性胶在光刻工艺上使用时间最早，其成本较低，负性光刻胶配方一般包含树脂、交联剂、光产酸剂、碱性添加剂和敏化剂等，小分子成分含量较高，前烘除溶剂后树脂膜中易产生微观相分离，并且交联反应程度不完全、导致其容易吸收显影液，导致交联树脂膨胀，降低了其分辨率，线边缘粗糙度增加，降低图形质量，甚至出现裂缝等问题，因此较难运用在微米级以下
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种负性光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包含改性聚羟基苯乙烯树脂混合物、光致产酸剂和溶剂；其中，所述改性聚羟基苯乙烯树脂混合物包括树脂a和树脂b；
2.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述溶剂为1,2-丙二醇甲醚乙酸酯PGMEA、乳酸乙酯EL和乙酸乙酯中的任一种或几种。
3.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述树脂a的合成方法为：
4.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述树脂b的合成方法为：
5.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，进一步包括选择性...
【技术特征摘要】
1.一种负性光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包含改性聚羟基苯乙烯树脂混合物、光致产酸剂和溶剂；其中，所述改性聚羟基苯乙烯树脂混合物包括树脂a和树脂b；
2.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述溶剂为1,2-丙二醇甲醚乙酸酯pgmea、乳酸乙酯el和乙酸乙酯中的任一种或几种。
3.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述树脂a的合成方法为：
4.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，所述树脂b的合成方法为：
5.如权利要求1所述的负性光刻胶组合物，其特征在于，进一步包括选择性添加表面活性剂；所述表面活性剂的用量为所述改性聚羟基...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯远杨，刁莹雪，鲁代仁，李冰，孙嘉，董栋，张宁，
申请(专利权)人：彤程化学中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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