【技术实现步骤摘要】
本公开一般地涉及半导体器件和集成电路制造，更具体地涉及变容二极管的结构和形成变容二极管的结构的方法。
技术介绍
1、变容二极管是一种通过射频技术实现的电子器件，用于支持如压控振荡器、参数放大器和倍频器等应用。变容二极管被设计为利用反向偏置结的电压依赖的电容。通过选择器件阴极中的掺杂剂浓度分布，可以将变容二极管制造为突变变容二极管或超突变变容二极管。
2、需要改进的变容二极管的结构和形成变容二极管的结构的方法。
技术实现思路
1、在一个实施例中，提供了一种变容二极管的结构。所述结构包括：衬底；第一半导体层，其包括位于所述衬底上的一部分；第二半导体层，其位于所述第一半导体层的所述一部分上；第三半导体层，其位于所述第二半导体层上；以及掺杂区，其位于所述第一半导体层的所述一部分中。所述第一半导体层的所述一部分和所述掺杂区具有第一导电类型，并且，所述第二半导体层包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的硅锗，并且，所述第三半导体层具有所述第二导电类型。所述掺杂区包含比所述第一半导体层的所述一部分更高浓度的所述第一导电类型的掺杂剂。所述第二半导体层沿着界面邻接所述第一半导体层的所述第一部分，并且，所述掺杂区邻近所述界面定位。
2、在一个实施例中，提供了一种形成变容二极管的结构的方法。所述方法包括形成第一半导体层，所述第一半导体层包括位于衬底上的一部分；形成位于所述第一半导体层的所述一部分上的第二半导体层；形成位于所述第二半导体层上的第三半导体层；以及形成位于所述第一
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1.一种变容二极管的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二半导体层具有顶表面，并且，所述第三半导体层定位在所述第二半导体层的所述顶表面上。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层邻接所述第二半导体层。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二半导体层在竖直方向上定位在所述第三半导体层和所述第一半导体层的所述第一部分之间。
5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层具有与所述第二半导体层不同的组成。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层具有比所述第二半导体层更高浓度的所述第二导电类型的掺杂剂。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层包括具有比所述第二半导体层更低的锗浓度的硅锗。
8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一半导体层包括位于所述衬底上的第二部分，所述第二部分具有高度，并且所述结构还包括：
9.根据权利要求8所述的结构，还包括：
10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述第二掺杂
11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均具有比所述第一半导体层的所述第一部分更高浓度的所述第一导电类型的所述掺杂剂。
12.根据权利要求9所述的结构，还包括：
13.根据权利要求9所述的结构，还包括：
14.根据权利要求8所述的结构，还包括：
15.根据权利要求14所述的结构，其中，所述第一半导体层的所述第一部分和所述第一半导体层的所述第二部分在所述浅沟槽隔离区上方延伸，并且，所述界面定位在所述浅沟槽隔离区上方。
16.根据权利要求1所述的结构，还包括：
17.根据权利要求16所述的结构，其中，所述第一掺杂区和所述第二半导体层定位在所述电介质层上方的高度上。
18.根据权利要求17所述的结构，其中，所述第三半导体层定位在所述电介质层上方的高度上。
19.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一掺杂区与所述界面同延。
20.一种形成变容二极管的结构的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种变容二极管的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二半导体层具有顶表面，并且，所述第三半导体层定位在所述第二半导体层的所述顶表面上。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层邻接所述第二半导体层。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二半导体层在竖直方向上定位在所述第三半导体层和所述第一半导体层的所述第一部分之间。
5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层具有与所述第二半导体层不同的组成。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层具有比所述第二半导体层更高浓度的所述第二导电类型的掺杂剂。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第三半导体层包括具有比所述第二半导体层更低的锗浓度的硅锗。
8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一半导体层包括位于所述衬底上的第二部分，所述第二部分具有高度，并且所述结构还包括：
9.根据权利要求8所述的结构，还包括：
10.根据权利要求9所述的结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·恰亚西亚，J·约翰逊，V·贾因，C·R·肯尼，S·萨鲁普，TY·林，J·J·派卡里克，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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