图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的基底以及在第二表面上的微透镜、在第一表面上的互连线和在基底中的像素隔离部，像素隔离部被构造为使像素彼此隔离而不直接接触。像素隔离部可以包括绝缘隔离图案和导电图案，其中，导电图案与基底间隔开，并且绝缘隔离图案在基底和导电图案之间。导电图案可以包括在绝缘隔离图案的侧表面上顺序布置的第一导电图案、第二导电图案和第三导电图案。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种图像传感器及其制造方法。

技术介绍

1、图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器分为两种类型：电荷耦合器件(ccd)型和互补金属氧化物半导体(cmos)型。cmos型图像传感器简称为cis。cis包括二维布置的多个像素。每个像素包括光电二极管(pd)。光电二极管用于将入射光转换为电信号。

技术实现思路

1、专利技术构思的一些示例实施例提供了一种能够实现清晰图像质量的图像传感器。

2、专利技术构思的一些示例实施例提供了一种在制造图像传感器的工艺中提高良率的方法。

3、根据专利技术构思的一些示例实施例，图像传感器可以包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；微透镜，在第二表面上；互连线，在第一表面上；以及像素隔离部，在基底中，像素隔离部被构造为使像素彼此隔离而不直接接触。像素隔离部可以包括绝缘隔离图案和导电图案，其中，导电图案与基底间隔开，并且绝缘隔离图案在基底和导电图案之间。导电图案可以包括在绝缘隔离图案的侧表面上顺序布置的第一导电图案、第二导电图案和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸大于第一导电图案的晶粒尺寸。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸是第三导电图案的晶粒尺寸的2倍至4倍。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸大于第三导电图案的晶粒尺寸。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸是第一导电图案的晶粒尺寸的1.5倍至6倍。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸大于第一导电图案的晶粒尺寸。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸是第三导电图案的晶粒尺寸的2倍至4倍。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸大于第三导电图案的晶粒尺寸。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电图案的晶粒尺寸是第一导电图案的晶粒尺寸的1.5倍至6倍。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在平行于第一表面的第一方向上，第二导电图案的厚度大于第一导电图案的厚度。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，在第一方向上，第三导电图案的厚度大于第二导电图案的厚度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，像素隔离部还包括在导电图案和第一表面之间的绝缘间隙填充图案。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，绝缘间隙填充图案的顶表面连接到第二导电图案和第三导电图案并且与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金局泰，金振均，裵秉择，柳承辉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：