【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在半导体结构的制造过程中，常需要将多层导电材料、半导体材料和/或介电材料沉积在基底的表面上。在现代加工中常见的沉积技术包括物理气相沉积(pvd)(也称为溅射)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、以及电化学电镀(ecp)等。
2、在材料层沉积之后，为形成特定性状的结构，还会对部分材料执行去除工艺，通常该步骤要重复多次才能完成半导体结构的制造。然而，在此过程中，位于基底最上方的材料层的表面会变成非平面的，此时，需要对该材料层执行化学机械研磨工艺。
3、然而，目前的化学机械研磨工艺在化学机械研磨效率、工艺成本等方面仍存在诸多不足。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
2、提供第一介质层和第二介质层，所述第一介质层中形成有至少一个第一开口，所述第二介质层填充所述第一开口并覆盖所述第一介质层的表面；
3、提供酸性...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在酸性条件下，所述第二介质层的表面具有负电荷特性，所述第一介质层的表面具有正电荷特性。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括氮化硅，所述第二介质层包括氧化硅。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，采用所述酸性抛光组合物对所述第二介质层执行化学机械研磨工艺，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸性抛光组合物对所述第二介质层和对所述第一介质层的去除选择比大于50。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在酸性条件下，所述第二介质层的表面具有负电荷特性，所述第一介质层的表面具有正电荷特性。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括氮化硅，所述第二介质层包括氧化硅。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，采用所述酸性抛光组合物对所述第二介质层执行化学机械研磨工艺，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸性抛光组合物对所述第二介质层和对所述第一介质层的去除选择比大于50。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，执行第二化学机械研磨工艺时，所述第一介质层的去除量不超过1.5nm。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，执行第一化学机械研磨工艺时，所述第二介质层的去除速率范围在400～500nm/min之间。
8.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述带正电荷的研磨颗粒包括二氧化硅颗粒。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，提供酸性抛光组合物的方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述酸性抛光组合物母液包括去离子水、研磨颗粒和阳离子型表面活性剂，以所述酸性抛光组合物母液为基准，所述去离子水的含量范围在85～90wt％之间，所述研磨颗粒的含量范围在10～15wt％之间，所述阳离子型表...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡长益，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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