【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁流变阻尼器,特别是涉及一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器。
技术介绍
1、现有磁流变阻尼器在面对较大的冲击载荷时普遍存在一个共同问题,即冲击初期峰值阻尼较大。尤其是在多级线圈的磁流变阻尼器中,增加线圈级数虽然可以满足更高的阻尼需求,但由此会导致初始阶段产生更大的阻尼峰值。随着线圈级数、通道长度和阻尼需求的增加,阻尼峰值问题会变得愈加显著,使得磁流变阻尼器在面向冲击载荷时阻尼力初期不可控。这种不可控性可能对被缓冲结构造成潜在的损害,因为阻尼器无法在高负载和高冲击条件下提供确定可控的性能。因此,现有的以多级线圈为代表的磁流变阻尼器在应对阻尼峰值时存在明显的技术瓶颈,迫切需要创新性的解决方案来提高阻尼器的可控性和缓冲性能,减小阻尼峰值问题对被缓冲结构的潜在损害。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了实现本专利技术目的,本专利技术公开了一种削减冲击峰值的内筒
...【技术保护点】
1.一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,其特征在于,包括带孔内筒(4)、外筒(5)和活塞(8);所述带孔内筒(4)设置于外筒(5)内部,所述活塞(8)设置于带孔内筒(4)内部,活塞(8)通过密封结构与带孔内筒(4)配合,并能够沿带孔内筒(4)内壁滑动;所述带孔内筒(4)、外筒(5)内均填充有磁流变液;所述带孔内筒(4)筒身设置有数个分流泄压孔(12),带孔内筒(4)端部设置有数个流动孔(13);活塞(8)在带孔内筒(4)内部运动时,带孔内筒(4)内部的磁流变液被活塞(8)推动,通过分流泄压孔(12)流入带孔内筒(4)与外筒(5)之间的间隙,并通过流动孔
...【技术特征摘要】
1.一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,其特征在于,包括带孔内筒(4)、外筒(5)和活塞(8);所述带孔内筒(4)设置于外筒(5)内部,所述活塞(8)设置于带孔内筒(4)内部,活塞(8)通过密封结构与带孔内筒(4)配合,并能够沿带孔内筒(4)内壁滑动;所述带孔内筒(4)、外筒(5)内均填充有磁流变液;所述带孔内筒(4)筒身设置有数个分流泄压孔(12),带孔内筒(4)端部设置有数个流动孔(13);活塞(8)在带孔内筒(4)内部运动时,带孔内筒(4)内部的磁流变液被活塞(8)推动,通过分流泄压孔(12)流入带孔内筒(4)与外筒(5)之间的间隙,并通过流动孔(13)再次进入带孔内筒(4)内;磁流变液被活塞(8)推动进行往复循环流动,扩大磁流变液的流量,减小因粘性阻尼产生的阻尼峰值。
2.根据权利要求1所述的一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,其特征在于,所述外筒(5)上端面设置有上端盖(2),所述外筒下端面设置有下端盖(10),所述下端盖(10)下方设置有出杆套筒(11)。
3.根据权利要求1所述的一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,其特征在于,所述带孔内筒(4)上端设置有上导向座(3);所述上导向座(3)与带孔内筒(4)上端轴孔配合,所述上导向座(3)与外筒(5)之间密封连接。
4.根据权利要求1所述的一种削减冲击峰值的内筒带有分流泄压孔的磁流变缓冲器,其特征在于,所述带孔内筒(4)下端设置有底线圈(6);所述底线圈(6)与带孔内筒(4)下端轴孔配合,并设置密封装置;所述底线圈(6)与外筒(5)内侧壁之间设置有间隙,用于磁流变液流动;所述底线圈(6)下端与外筒(5)密封连接。
5.根据权利要求1所述的一种削减冲击峰值的内筒带...
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