晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法及晶界强化钕铁硼磁体技术

本发明专利技术公开了一种晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法及晶界强化钕铁硼磁体。所述方法包括：将第一扩散源施加于钕铁硼磁体表面，并进行低温晶界扩散处理；将第二扩散源施加于经低温晶界扩散处理后的钕铁硼磁体表面，并进行中温晶界扩散处理；将第三扩散源施加于经中温晶界扩散处理后的钕铁硼磁体表面，并进行高温晶界扩散处理；所述第一扩散源、第二扩散源、第三扩散源中重稀土元素的含量依次增加；最后进行退火处理，获得晶界强化钕铁硼磁体。本发明专利技术采用调控重稀土含量的多次晶界扩散处理方式，有针对性地调整了磁体内部的微观结构，有效提升重稀土利用率，强化磁体矫顽力，且本发明专利技术适用于大尺寸磁体的批量扩散改性，一致性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀土永磁材料，特别涉及一种晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法，及所获得的晶界强化钕铁硼磁体。

技术介绍

1、钕铁硼稀土永磁材料广泛应用于新能源汽车、轨道交通、风力发电等高
，然而其较差的磁性能温度稳定性严重制约着钕铁硼应用领域的进一步拓展。提升矫顽力(hcj)是提升磁性能温度稳定性的有效途径，在钕铁硼磁体矫顽力可达到的实际值不足理论值30％的发展现状下，提升矫顽力意义重大。钕铁硼磁体的矫顽力经验公式如下：

2、hcj＝α·ha-neff·ms

3、其中，α是矫顽力系数因子，与磁体的组织结构相关，晶界磁隔离作用越强、晶粒表面缺陷越少则α越大；ha是磁晶各向异性场，与磁体的成分相关，在主相中引入重稀土可显著提升ha；neff是有效退磁因子，主要与磁体的宏观尺寸相关；ms是饱和磁化强度，与磁体的本征成分相关。显然，增大α与ha是提升磁体矫顽力的最有效方法。

4、晶界扩散技术可实现对磁体表层部位α与ha的增大，其原理是将含有稀土的单质或化合物附着在磁体表面，通过一定的热处理工艺使得附着物沿着晶界通道扩散进入磁体内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一扩散源的化学式为RE1aRE2bM100-a-b，其中，RE1包括铽、镝、钬中的任意一种或两种以上的组合，RE2包括镧、铈、镨、钕、钐中的任意一种或两种以上的组合，M为有色金属，优选包括镁、铝、钴、铜、镓中的任意一种或两种以上的组合，且满足0≤a≤5，50≤b≤95。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二扩散源的化学式为RE1mRE2nM100-m-n，其中，RE1包括铽、镝、钬中的任意一种或两种以上的组合，RE2包括镧、铈、镨、钕、钐中的任意...

【技术特征摘要】

1.一种晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一扩散源的化学式为re1are2bm100-a-b，其中，re1包括铽、镝、钬中的任意一种或两种以上的组合，re2包括镧、铈、镨、钕、钐中的任意一种或两种以上的组合，m为有色金属，优选包括镁、铝、钴、铜、镓中的任意一种或两种以上的组合，且满足0≤a≤5，50≤b≤95。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二扩散源的化学式为re1mre2nm100-m-n，其中，re1包括铽、镝、钬中的任意一种或两种以上的组合，re2包括镧、铈、镨、钕、钐中的任意一种或两种以上的组合，m为有色金属，优选包括镁、铝、钴、铜、镓中的任意一种或两种以上的组合，且满足25≤m≤50，25≤n≤50。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第三扩散源的化学式为re1ire2jnreq，其中，re1包括铽、镝、钬中的任意一种或两种以上的组合，re2包括镧、铈、镨、钕、钐中的任意一种或两种以上的组合，nre为高熔点金属，优选包括钨、钼、铌、钽、钒、锆中的任意一种或两种以上的组合，且满足i≥80，0≤j≤10，0≤q≤10，同时i+j+q＝100。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹帅，程佩怡，丁广飞，郭帅，郑波，范晓东，陈仁杰，闫阿儒，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：