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本发明公开了一种晶界扩散强化钕铁硼磁体的方法及晶界强化钕铁硼磁体。所述方法包括：将第一扩散源施加于钕铁硼磁体表面，并进行低温晶界扩散处理；将第二扩散源施加于经低温晶界扩散处理后的钕铁硼磁体表面，并进行中温晶界扩散处理；将第三扩散源施加于经中...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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