【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，具体涉及一种硅片修整方法和硅片加工设备。
技术介绍
1、硅片加工过程中，为了提高去除切割等工艺导致的表面缺陷，提高表面的平整度，需要对硅片的表面进行研磨，在硅片的研磨过程中，会导致硅片的形貌发生变化，因此，在硅片加工流程中，需要在加工一段时间之后，利用金刚石等对硅片的形貌进行修整，然而现有的硅片修整方式对于硅片的修整效果有待提高。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种硅片修整方法和硅片加工设备，以提高硅片修整工艺表面的平整度。
2、第一方面，本公开实施例提供一种硅片修整方法，包括以下步骤：
3、检测目标硅片的表面在修整过程中的第一温度；
4、根据所述第一温度和对于所述目标硅片的平整度需求确定第二温度；
5、在修整过程中，向所述目标硅片供给温度为第二温度的去离子水。
6、在其中一些实施例中，所述第一温度和所述第二温度的温差随着所述平整度需求的提高而降低。
7、在其中一些实施例中，所述第一温度和...
【技术保护点】
1.一种硅片修整方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度和所述第二温度的温差随着所述平整度需求的提高而降低。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一温度和所述第二温度相等。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测目标硅片的表面在修整过程中的第一温度，包括：
5.一种硅片加工设备，其特征在于，配置为执行权利要求1至6中任一项所述的硅片修整方法。
6.如权利要求5所述的硅片加工设备，其特征在于，所述硅片加工设备包括：
7.如权利要求6所...
【技术特征摘要】
1.一种硅片修整方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度和所述第二温度的温差随着所述平整度需求的提高而降低。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一温度和所述第二温度相等。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测目标硅片的表面在修整过程中的第一温度，包括：
5.一种硅片加工设备，其特征在于，配置为执行权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：周勤学，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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