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本申请提供了一种硅片修整方法和硅片加工设备。硅片修整方法包括以下步骤：检测目标硅片的表面在修整过程中的第一温度；根据所述第一温度和对于所述目标硅片的平整度需求确定第二温度；在修整过程中，向所述目标硅片供给温度为第二温度的去离子水。本发明实施...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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