【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制程，尤其涉及一种离子注入的方法。
技术介绍
1、离子注入是半导体制程中的重要环节，直接决定了芯片的导电性能，甚至是产品良率。随着集成电路线宽越来越小，对离子注入工艺要求精度越来越严苛，不精确的注入深度对高端制程影响越来越显著。
2、离子注入时，由于隧穿效应，使得注入时会有一些元素穿过衬底硅原子的共价键结构，不与周围硅原子发生碰撞，注入后不发生碰撞的隧穿离子到了非制程需要的更深的深度。在高端制程中由于线宽越来越小，隧穿效应对制程影响越来越显著。
技术实现思路
1、本公开提供了一种离子注入的方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种离子注入的方法，所述方法包括：
3、提供衬底；
4、由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，所述第一离子注入的注入元素与所述衬底的元素相同，以使所述衬底表面的离子晶格呈不规则排列。
5、在一实施方式中，所述方法还包括：
6、在进行所述第一离子注入后，由所述衬底表面向所述衬底内进行第二离子注入。
7、在一实施方式中，所述方法还包括：
8、在进行所述第二离子注入后，进行高温退火工艺。
9、在一实施方式中，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：所述第一离子注入的能量的范围为2kev～20kev，所述第一离子注入的剂量的范围为5e12～8e13。
10、在一实施方式中，
11、在一实施方式中，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：所述第一离子注入注入衬底的深度是衬底的厚度的1％～10％。
12、在一实施方式中，所述第二离子注入的注入离子为p型离子或n型离子。
13、在一实施方式中，所述高温退火的温度范围为500℃～2200℃。
14、在一实施方式中，所述高温退火的时间为3min～5min。
15、在一实施方式中，所述第一离子注入的注入元素和所述衬底的元素为硅。
16、本公开的离子注入的方法，通过先向衬底内注入与衬底的元素相同的离子，使得衬底表面的离子晶格被打散，使表面晶格呈不规则排列，如此后续进行其他离子注入时，注入的离子也不会注入到非制程需要的更深的深度，使得隧穿效应大大降低和改善。
17、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种离子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种离子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由所述衬底表面向所述衬底内进行第一离子注入，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述由所述衬底表...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏文华，李振雨，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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