逆导型IGBT功率器件及其制备的方法和电子设备技术

本发明专利技术提出一种逆导型IGBT功率器件及其制备方法，逆导型IGBT功率器件包括至少一个元胞，元胞包括：第一导电类型的电场区，所述电场区的正面形成有正面结构，所述电场区的背面形成有集电极结构，集电极结构包括第一导电类型的第一集电极层、第二导电类型的第二集电极层、集电极插入层、集电极互连部和集电极，所述集电极插入层位于所述电场区中，所述集电极插入层通过所述集电极互连部与所述第二集电极层连接。本发明专利技术的逆导型IGBT功率器件，正向导通时，可以减少电压折回现象，有效抑制负阻效应，提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种逆导型igbt功率器件，以及制备该逆导型igbt功率器件的方法和具有该逆导型igbt功率器件的电子设备。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)由于其不但具有mosfet器件易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，在电力电子器件中显现出巨大优势，已成为功率器件的核心。

2、当功率器件igbt在电力电子系统中使用时，通常需要其额外搭配续流二极管(free wheeling diode，fwd)，从而来确保系统的安全稳定。额外搭配的fwd增加了器件的个数，同时需要进行封装，并且额外的封装会增加焊点数，从而增加了生产成本，并且影响器件的可靠性。

3、当前，已有研究人员提出一种具有igbt和二极管集成的器件称为逆导igbt(reverse conducting igbt,rc-igbt)，该器件通过在集电区上引入n+集电区来实现，传统的逆导型igbt功率器件，如图1所示，通过在集电区上引入n+本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种逆导型IGBT功率器件，其特征在于，所述逆导型IGBT功率器件包括至少一个元胞，所述元胞包括：

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT功率器件，其特征在于，所述电场区为漂移区，所述集电极插入层设置于所述漂移区中。

3.根据权利要求1所述的逆导型IGBT功率器件，其特征在于，所述电场区包括漂移区和场截止层，所述场截止层与所述漂移区的下表面接触，所述集电极插入层设置于所述场截止层中。

4.根据权利要求1所述的逆导型IGBT功率器件，其特征在于，所述逆导型IGBT功率器件包括多个沿功率器件横向设置的所述元胞，相邻两个元胞的集电极插入层与第二集电极层在...

【技术特征摘要】

1.一种逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述逆导型igbt功率器件包括至少一个元胞，所述元胞包括：

2.根据权利要求1所述的逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述电场区为漂移区，所述集电极插入层设置于所述漂移区中。

3.根据权利要求1所述的逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述电场区包括漂移区和场截止层，所述场截止层与所述漂移区的下表面接触，所述集电极插入层设置于所述场截止层中。

4.根据权利要求1所述的逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述逆导型igbt功率器件包括多个沿功率器件横向设置的所述元胞，相邻两个元胞的集电极插入层与第二集电极层在功率器件横向上存在交叠。

5.根据权利要求1所述的逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述逆导型igbt功率器件包括多个沿功率器件横向设置的所述元胞；

6.根据权利要求1所述的逆导型igbt功率器件，其特征在于，所述集电极结构包括多个集电极插入层，多个所述集电极插入层沿功率器件纵向排布，每个所述集电极插入层均通过集电极互连部与所述第二集电极层连接。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：常乐，许园波，卢汉汉，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：