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本发明提出一种逆导型IGBT功率器件及其制备方法，逆导型IGBT功率器件包括至少一个元胞，元胞包括：第一导电类型的电场区，所述电场区的正面形成有正面结构，所述电场区的背面形成有集电极结构，集电极结构包括第一导电类型的第一集电极层、第二导电类...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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