用于制造半导体器件的方法及该半导体器件技术

一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件用于发射光并且具有基体(9)，该基体具有用于产生光的有源层(16)以及由阻挡结构(26)限界的隧道结(27)，其中，该阻挡结构用于使导入到该有源层中的电流缩窄，该方法包括：该阻挡结构在该隧道结的区域中的产生通过注入步骤进行。一种半导体器件，其具有被注入的阻挡，所述半导体器件特别是设计为具有垂直共振器的表面发射器(VCSEL)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于制造半导体器件的方法以及一种半导体器件，该半导体器件可以尤其是根据本专利技术的方法的产品。

技术介绍

技术实现思路

1、提出了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件用于发射光并且具有基体，该基体具有用于产生光的有源层以及由阻挡结构限界的隧道结，其中，该阻挡结构用于使导入到该有源层中的电流缩窄(einschnürung)，其中，该阻挡结构在该隧道结的区域中的产生通过注入步骤进行。

2、半导体器件可以包括磷化铟层或者可以基于包含磷化铟的晶圆。此外，半导体器件还可以包含砷化镓。

3、通过根据本专利技术的方法可以将隧道结定位在有源层附近。在此，隧道二极管可以布置在半导体器件内驻留光波的有源层之后的第一节点的区域中。

4、特别是通过由注入引起的晶格缺陷可以产生杂质。阻挡结构由这些杂质构成。

5、注入通过注入射束进行，所述注入射束从辐射方向出发辐射到基体和/或半导体器件上。

6、隧道结特别是可以由至少两个高掺杂的直接相邻的层构成。这两个层被相反地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件用于发射光(21)并且具有基体(9)，所述基体具有用于产生光(21)的有源层(16)以及由阻挡结构(26)限界的隧道结(27)，其中，所述阻挡结构(26)用于使导入到所述有源层(16)中的电流(25)缩窄，其中，所述阻挡结构(26)在所述隧道结(27)的区域中的产生通过注入步骤进行，其特征在于，通过由所述注入引起的晶格缺陷产生杂质，使得被注入的区域对于具有所发射的波长的光(21)是透明的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将质子注入工艺作为注入步骤，其中，注入能量选择为使得所述阻挡结构(26)在构成所述隧道结(...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件用于发射光(21)并且具有基体(9)，所述基体具有用于产生光(21)的有源层(16)以及由阻挡结构(26)限界的隧道结(27)，其中，所述阻挡结构(26)用于使导入到所述有源层(16)中的电流(25)缩窄，其中，所述阻挡结构(26)在所述隧道结(27)的区域中的产生通过注入步骤进行，其特征在于，通过由所述注入引起的晶格缺陷产生杂质，使得被注入的区域对于具有所发射的波长的光(21)是透明的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将质子注入工艺作为注入步骤，其中，注入能量选择为使得所述阻挡结构(26)在构成所述隧道结(27)的层的内部形成并且优选关于注入方向而言至少在所述隧道结(27)的一侧上不延伸到邻接的层中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述注入能量选择为使得所述阻挡结构(26)的至少一部分延伸到与所述隧道结(27)邻接的层中。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将阻断剂(29)施加在所述基体(9)的要借助注入射束(30)辐射的表面上，使得所述注入射束(30)在未被所述阻断剂(29)覆盖的区域处射入所述基体(9)，至少直至所述隧道结(27)。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成孔状的阻挡结构(26)，所述孔状的阻挡结构具有不被所述注入射束(30)涉及的贯通区域(31)，其中，在注入工艺之前，特别是相应于所述孔状的阻挡结构(26)，优选在台面区段(19)上施加光刻胶。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将第一反射层和/或第二反射层(22，23)施加在所述基体(9)的不同的侧面上，其中，优选预先从所述基体(9)去除载体基底(18)，并且特别是接着将保护层(32)至少施加在所述反射层(22，23)中的一个反射层上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在隧道结层(13)中产生多个阻挡结构(26)，使得半导体器件(10)具有多个隧道结(27)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，具有另外的...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·克尔纳，A·魏格尔，H·J·门希，B·施密特，
申请(专利权)人：通快光电器件有限公司，
类型：发明
国别省市：