【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例处于集成电路结构和处理领域，并且特别是具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构以及制造具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构的方法。
技术介绍
1、在过去的几十年里，集成电路中特征的缩放已经是半导体行业不断发展的驱动力。向越来越小的特征的缩放在半导体芯片的有限空间上实现功能单元的密度增加。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上集成更多数量的存储器或逻辑器件，从而有利于制造容量增加的产品。然而，对更大容量的追求并非没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越重要。
2、在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸不断缩小，多栅极晶体管(例如三栅极晶体管)已经变得更加普遍。在常规工艺中，三栅极晶体管通常制造在体块硅衬底或绝缘体上硅衬底上。在一些情况下，体块硅衬底是优选的，因为它们成本较低并且因为它们实现不太复杂的三栅极制造工艺。另一方面，当微电子器件尺寸缩小到低于10纳米(nm)节点时维持迁移率改进和短沟道控制给器件制造带来了挑战。
3、然而，缩放多栅极和纳米线晶体管并非没有后果。随着微电子电路的这些基本构建块的尺寸减小，并...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述导电沟槽接触结构通过电介质结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：
4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，还包括：
6.一种集成电路结构，包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中所述导电沟槽接触结构通过电介质结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
8.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述导电沟槽接触结构通过电介质结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：
4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，还包括：
6.一种集成电路结构，包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中所述导电沟槽接触结构通过电介质结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
8.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，还包括：
9.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路结构，还包括：
11.一种计算设...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·P·古勒，T·加尼，C·H·华莱士，M·K·哈兰，S·耶门尼西奥卢，C·D·穆纳辛格，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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