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描述了具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构以及制造具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括多个水平堆叠的纳米线。栅极电介质材料层围绕所述多个水平堆叠的纳米线。栅极电极结构位于所述栅极电介质材料层之上。外延源极或漏极结构...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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