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一种用于制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件用于发射光并且具有基体(9)，该基体具有用于产生光的有源层(16)以及由阻挡结构(26)限界的隧道结(27)，其中，该阻挡结构用于使导入到该有源层中的电流缩窄，该方法包括：该阻挡结构在该隧...
该专利属于通快光电器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通快光电器件有限公司授权不得商用。

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