垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：第一掺杂类型的基底；两个第二掺杂类型的底栅，形成于所述基底内且在横向间隔设置；第二掺杂类型的顶栅，形成于所述基底内，所述顶栅位于两个所述底栅之间间隔的上方且所述顶栅和所述底栅之间具有间隔；介质层，形成于所述基底之上且位于所述顶栅之上的位置；耦合电容上电极，形成在所述介质层之上；顶栅由耦合电容上电极间隔介质层间接控制。本申请实施例解决了传统碳化硅基结型场效应晶体管的栅极无法加较高的电压和栅极可靠性低限制了其作为功率开关的应用的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体地，涉及一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、碳化硅（silicon carbide，sic）材料是第三代宽禁带半导体，其禁带宽度3.2ev远大于传统硅材料1.1ev，临界击穿场强高于硅材料一个数量级，具有耐高温高压的优势，同时其饱和漂移速度快，适合制造快速响应的高温高压功率半导体器件，如vdmos（verticaldouble-diffused mosfet）和jfet（junction field-effect transistor，jfet）等器件。结型场效应晶体管（junction field-effect transistor，jfet）也是一种三端口半导体器件，工作原理为利用栅极加压控制其与沟道的pn结的反偏实现漏极和源极的关断，栅极不加压时通常为常开器件，其导通沟道在器件体内。它具有低噪音、小尺寸和高频响应等优点，常应用于开关器件、电源放大器件和数码电子电路中，满足不同电子设备的要求。

2、垂直导通双扩散的mosfet（vertical double-diffused mosfe本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，顶栅（8）处于浮空状态，耦合电容上电极（10）、介质层（9）和顶栅（8）整体构成场效应晶体管的栅极结构；第二掺杂类型的顶栅（8）、位于所述顶栅（8）和所述底栅（3）之间的部分、底栅（3）形成JFET区域一；两个底栅（3）、位于底栅（3）之间的部分形成JFET区域二；

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，顶栅（8）处于浮空状态，耦合电容上电极（10）、介质层（9）和顶栅（8）整体构成场效应晶体管的栅极结构；第二掺杂类型的顶栅（8）、位于所述顶栅（8）和所述底栅（3）之间的部分、底栅（3）形成jfet区域一；两个底栅（3）、位于底栅（3）之间的部分形成jfet区域二；

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1至5任一所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，通过控制第二掺杂类型的底栅（3）、第二掺杂类型的顶栅（8）的掺杂使得在耦合电容上电极（10）电压为零时，被底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宇，王畅畅，岳丹诚，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：