【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件散热,具体涉及一种大功率发热器件的强化散热结构及散热方法。
技术介绍
1、如今,不断提升的智能化等级对芯片运算速度提出更苛刻的要求,同时也对芯片散热提出更高的要求。以7nm和3nm芯片为例,相同规格的芯片在提供相同算力时,3nm芯片的发热量仅为7nm的一半。为确保芯片能充分发挥应有算力,实现芯片是高效散热尤为重要。
2、当前主流芯片散热方式为风冷和液冷散热,但受芯片散热面积的影响,无法为高功率芯片提供充足的热耗散能力。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本专利技术提出一种大功率发热器件的强化散热结构及散热方法,能够增加大功率发热器件的等效散热面积,为实现大功率发热器件的有效散热提供保障。
2、本专利技术的技术方案是这样实现的:
3、一种大功率发热器件的强化散热结构,包括大功率发热器件,大功率发热器件的上表面设有相变传热器件,相变传热器件内填充有相变工质,相变传热器件的蒸发端与大功率发热器件接触,相变传热器件的冷凝端远离大功率发热
...【技术保护点】
1.一种大功率发热器件的强化散热结构,包括大功率发热器件,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
4.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
6.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
7.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征
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【技术特征摘要】
1.一种大功率发热器件的强化散热结构,包括大功率发热器件,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
4.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的大功率发热器件的强化散热结构,其特征在于,
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