用于QLC/TLC管芯的混合智能验证制造技术

本申请题为“用于QLC/TLC管芯的混合智能验证”。本文公开了用于在具有每单元四位编程模式(或X4模式)并且还具有每单元三位编程模式(或X3模式)的存储器系统中的智能验证的技术。X3模式使用基于X4模式的四位格雷码的三位格雷码。存储器系统跳过对X3模式中的状态的验证，同时使用来自X4模式的编程逻辑的相当大部分。在一个X3模式中，存储器系统跳过B状态验证，而具有高于A状态验证电压的Vt的存储器单元的数量低于阈值。在一个X3模式中，存储器系统基于第一测试确定是否跳过对第一组数据状态的验证，并且基于第二测试确定是否跳过对第二组数据状态的验证。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、本公开涉及非易失性存储器。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。

3、存储器系统中的存储器结构通常含有许多存储器单元及各种控制线。存储器结构可以是三维的。一种类型的三维结构具有布置为垂直nand串的非易失性存储器单元。存储器结构可以布置成通常被称为物理块的单元。例如，nand存储器系统中的块含有许多nand串。nand串包含串联连接的存储器单元晶体管、在一端的漏极侧选择栅极和在另一端的源极侧选择栅极。每个nand串与位线相关联。块通常具有许多字线，该字线向存储器单元晶体管的控制栅极提供电压。在一些架构中，每一字线连接到块中的每一相应nand串上的一个存储器单元的控制栅极。

4、对于存储器(诸如nand)，首先擦除一大组存储器单元。本文中，作为单位被擦除的一组存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一组包括：

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二组包括：

8.根据权利要求1所述的装置，其中基于所述四位代码的所述四页中的三页使用所述三位代码对所述存储器结构中的所述第二组所述存储器单元进行编程包括所述一或多个控制电路被进一步配置为：

9.根...

【技术特征摘要】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一组包括：

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

7.根据权利要求5所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔，H·秦，E•佩佐，M•马苏杜扎曼，
申请(专利权)人：闪迪技术有限公司，
类型：发明
国别省市：