MRAM读取电路制造技术

本发明专利技术提供了一种MRAM读取电路。该MRAM读取电路包括读单元、参考单元和读放大器，读放大器的输入端分别与读单元和参考单元电连接，读单元包括至少一个磁存储隧道结，参考单元包括：参考电阻模块，与读放大器的输入端连接；测温模块，用于获取MRAM读取电路的环境温度并输出温度信号；控制模块，分别与参考电阻模块和测温模块连接，用于接收温度信号，并根据环境温度调节参考电阻模块的总阻值。通过测温模块对读取电路的周围环境进行检测，进而将检测到的环境温度反馈至控制模块，控制模块根据环境温度对参考电阻模块的电阻阻值进行调节，以使参考电阻模块的阻值与读单元的阻值相匹配，从而保证读写信息的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及一种mram读取电路。

技术介绍

1、磁性随机存储器件存储单元为磁性隧道结，隧道结通常由铁磁层、绝缘隧穿层以及固定层三层基本单元组成。当铁磁层和固定层的磁矩方向相反时，存储器件表现为高阻态rap，当两层的磁矩方向相反同时，表现为低阻态rp，用于信息“1”、“0”的存储。判断信息的“1”、“0”是通过与参考电阻阻值rref的对比来实现，隧道结电阻比参考电阻大表示信息“1”，比参考电阻小即为“0”。理想的参考电阻为p态和ap态的中间阻值。但由于隧道结电阻存在温度特性，且和温度呈负相关，因此理想的参考电阻温度系数需和隧道结电阻温度系数匹配。

2、目前其中一种参考电阻的设计方式为使用处于ap态的一组隧道结串并联组合构成参考电阻，并根据隧道结电阻与参考电阻的大小判断信息为“1”或“0”，进而存储信息。然而，处于ap态的mtj串并联等效电阻的温度系数与理想参考电阻的温度系数不匹配，导致温度变化时参考电阻偏离理想值，进而导致基于该参考电阻方案的芯片在宽温区工作时数据读取窗口变小，导致读写信息的不稳定。

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【技术保护点】

1.一种MRAM读取电路，其特征在于，包括读单元、参考单元和读放大器，所述读放大器的输入端分别与所述读单元和所述参考单元电连接，所述读单元包括至少一个磁存储隧道结，所述参考单元包括：

2.根据权利要求1所述的MRAM读取电路，其特征在于，所述参考电阻模块包括：

3.根据权利要求2所述的MRAM读取电路，其特征在于，所述固定电阻包括第二磁性隧道结。

4.根据权利要求3所述的MRAM读取电路，其特征在于，所述修正电阻子模块包括并联的多条分支电路，各所述分支电路中具有串联有一个所述开关器件和多个串联或并联的固定电阻，所述控制模块用于控制所述开关器件的开关。<...

【技术特征摘要】

1.一种mram读取电路，其特征在于，包括读单元、参考单元和读放大器，所述读放大器的输入端分别与所述读单元和所述参考单元电连接，所述读单元包括至少一个磁存储隧道结，所述参考单元包括：

2.根据权利要求1所述的mram读取电路，其特征在于，所述参考电阻模块包括：

3.根据权利要求2所述的mram读取电路，其特征在于，所述固定电阻包括第二磁性隧道结。

4.根据权利要求3所述的mram读取电路，其特征在于，所述修正电阻子模块包括并联的多条分支电路，各所述分支电路中具有串联有一个所述开关器件和多个串联或并联的固定电阻，所述控制模块用于控制所述开关器件的开关。

5.根据权利要求4所述的mram读取电路，其特征在于，在所述修正电阻子模块中，所述固定电阻包括多个并联的磁隧道结结构和多个不同尺寸的顶电极，所述磁隧道结结构包括顺序设置的铁磁自由层、非磁性势垒层和铁磁参考层，所述顶电极位于所述铁磁参考层远离所述非磁性势垒层的一侧，位于同一所述分支电路中的所述固定电阻中的所述顶电极通过所述磁隧道结结构与所述第一磁性隧道结连接。

6.根据权利要求4所述的mram读取电路，其特征在于，在所述修正电阻子模块中，所述固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莎莎，何世坤，侯嘉，李琨琨，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：