一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入ｎ＋－ｏｎ－ｐ型碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）红外光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。基于离子注入诱导损伤形成的ｎ区面积明显大于实际离子注入窗口的面积的试验结果，本发明专利技术采用光电二极管ｎ区的电极金属化共用离子注入窗口的离子注入ｎ＋－ｏｎ－ｐ型ＨｇＣｄＴｅ红外光伏探测芯片的结构方案，有效解决了ＨｇＣｄＴｅ红外光伏探测芯片在像元尺寸的进一步缩小时ｎ区离子注入窗口内制备光敏元金属化电极的面积变得非常有限而引起的电极金属化技术难度加大和光敏感元ｎ区金属化区域ＨｇＣｄＴｅ表面在红外焦平面探测器倒装互连过程中承受挤压作用力增加的问题。本发明专利技术方法具有结构工艺简化和集成度高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器件技术，具体是指光电二极管η区的电极金属化共用离子 注入窗口的离子注入η+-οη-ρ型碲镉汞(HgCdTe)红外光伏探测芯片。
技术介绍
红外焦平面列阵器件是既具有红外信息获取又具有信息处理功能的先进的成像 传感器，在空间对地观测、光电对抗、机器人视觉、搜索与跟踪、医用和工业热成像、以及导 弹精确制导等军、民用领域有重要而广泛的应用。由于其不可替代的地位和作用，世界上的 主要工业大国都将HgCdTe红外焦平面列阵器件制备技术列为重点发展的高技术项目。在高级红外应用系统的大力驱动下，红外探测技术已进入了以大面阵、小型 化和多色化等为特点的第三代红外焦平面探测器的重要发展阶段(见A.RogalSki， J. Antoszewski, and L. Faraone, "Third-generation infrared photodetector arrays，，， JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009,105 (09) :091101_1)。高级红外成像的高分辨率探测 迫使新一代红外焦平面探测器向大面阵、小型化趋势的发展，要求红外探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入ｎ↑［＋］－ｏｎ－ｐ型碲镉汞红外光伏探测芯片，它包括：红外衬底（１）、光敏感元的ｐ型有源区（２）、光敏感元的ｎ型区（３）、探测芯片的钝化膜（４）、离子注入窗口（５）、ｎ型区表面上的光敏感元电极（６）、ｐ型区表面的公共电极（７）和与读出电路混成互连的铟柱列阵（８）；由硼离子注入形成的光敏感元的ｎ型区列阵（３）与光敏感元的ｐ型有源区（２）共同形成红外光伏探测芯片的光电二极管列阵；其特征在于：ｎ型区表面上的光敏感元电极（６）的金属化开口与形成ｎ↑［＋］－ｏｎ－ｐ光电二极管ｎ区（３）共用离子注入窗口（５）；光敏感元电极（６）与离子注入窗口（５）是大小相等且中心法...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶振华，冯靖文，马伟平，陈昱，刘丹，邢雯，林春，胡晓宁，丁瑞军，何力，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]