【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种mos器件的制作方法。
技术介绍
1、现有mos管微缩时，侧墙也会同时缩小，源、漏距离沟道更近了，由此会加重短沟道效应、dibl(drain induced barrier lowering)效应和gidl(栅诱导漏极泄漏电流，gate-induced drain leakage)效应，会导致沟道漏电增加，也会造成高压hv器件击穿电压bv降低。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种mos器件的制作方法，用于解决现有技术中由于mos管尺寸微缩导致短沟道效应加重，进而造成高压器件击穿电压降低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种mos器件的制作方法，至少包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙；
4、步骤二、刻蚀所述第一侧墙使其顶部低于所述栅极结构顶端；
5、步骤三、形成依附于所述第一侧墙的第二侧墙；
6、步骤四、刻蚀所述第二侧墙使其顶部低于刻蚀后的第一侧墙；
7、步骤五、以刻蚀后的第一侧墙和第二侧墙为阻挡层，在所述栅极结构两侧的衬底内进行离子注入，形成源端和漏端；
8、步骤六、刻蚀去除所述第二侧墙；
9、步骤七、退火修改晶格损伤并激活所述源端和漏端的离子，同时使得所述源端和漏端外推；
10、步骤八、在所述栅极结构上表面以及所述源端和漏端
11、优选地，步骤一中的所述第一侧墙包括依附于所述栅极结构侧壁的第一sio2侧墙和依附于所述第一sio2侧墙的第一sin侧墙。
12、优选地，步骤二中刻蚀所述第一侧墙包括：刻蚀所述第一侧墙中的第一sin侧墙，使其顶部低于所述栅极结构顶端。
13、优选地，步骤三中形成的所述第二侧墙包括：先形成依附于所述第一sin侧墙的第二sio2侧墙，之后形成依附于所述第二sio2侧墙的第二sin侧墙。
14、优选地，步骤四中刻蚀所述第二侧墙包括：刻蚀所述第二侧墙中的所述第二sin侧墙，使其顶部低于刻蚀后第一sin侧墙。
15、优选地，步骤五中在所述栅极结构两侧的衬底内以斜角入射进行离子注入，形成所述源端和漏端。
16、优选地，步骤六中通过湿法刻蚀去除所述第二侧墙的第二sio2侧墙和第二sin侧墙。
17、优选地，步骤七中的所述退火为快速热退火方式。
18、如上所述，本专利技术的一种mos器件的制作方法，具有以下有益效果：本专利技术结深较深的源漏注入与沟道的距离被第二侧墙拉开，源漏结对沟道的作用减弱，从而短沟道效应得到抑制；去掉第二sin侧墙和第二sio2侧墙会增大形成金属硅化物和接触孔的窗口，也会使后续ild隔离填充更加容易。
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1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述第一侧墙包括依附于所述栅极结构侧壁的第一SiO2侧墙和依附于所述第一SiO2侧墙的第一SiN侧墙。
3.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤二中刻蚀所述第一侧墙包括：刻蚀所述第一侧墙中的第一SiN侧墙，使其顶部低于所述栅极结构顶端。
4.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤三中形成的所述第二侧墙包括：先形成依附于所述第一SiN侧墙的第二SiO2侧墙，之后形成依附于所述第二SiO2侧墙的第二SiN侧墙。
5.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤四中刻蚀所述第二侧墙包括：刻蚀所述第二侧墙中的所述第二SiN侧墙，使其顶部低于刻蚀后第一SiN侧墙。
6.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤五中在所述栅极结构两侧的衬底内以斜角入射进行离子注入，形成所述源端和漏端。
7.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法
8.根据权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于：步骤七中的所述退火为快速热退火方式。
...【技术特征摘要】
1.一种mos器件的制作方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的mos器件的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述第一侧墙包括依附于所述栅极结构侧壁的第一sio2侧墙和依附于所述第一sio2侧墙的第一sin侧墙。
3.根据权利要求1所述的mos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中刻蚀所述第一侧墙包括：刻蚀所述第一侧墙中的第一sin侧墙，使其顶部低于所述栅极结构顶端。
4.根据权利要求1所述的mos器件的制作方法，其特征在于：步骤三中形成的所述第二侧墙包括：先形成依附于所述第一sin侧墙的第二sio2侧墙，之后形成依附于所述第二sio2侧墙的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张高明，岑贵，于涛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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