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本发明提供一种MOS器件的制作方法，在衬底上形成栅极结构，在栅极结构侧壁形成第一侧墙；刻蚀第一侧墙使其顶部低于栅极结构顶端；形成依附于第一侧墙的第二侧墙；刻蚀第二侧墙使其顶部低于刻蚀后的第一侧墙；在栅极结构两侧的衬底内进行离子注入，形成源端...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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