【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及光通信，特别涉及一种转接结构、光电组件封装结构和光模块。
技术介绍
1、在光通信设备中，光模块用于将接收到的光信号转成电信号。随着光通信设备的发展，对于光模块的集成设计也提出了更大的要求，不仅需要更高的速率，同时还需要更小的体积以及更低的成本。由于受到封装尺寸标准的限制以及降成本的需求，通过增加通信通道的方式来提高传输速率，将大大增加模块的体积和成本，因此考虑提高单通道的速率来提升模块的传输速率成为小体积低成本光模块的首选。单通道的速率不仅受各芯片的性能影响，高频链路的设计也是影响信号速率/带宽的关键因素，如何在同样的空间内布置各元器件以及如何设计高频链路，使得单个光器件获得更高的传输速率是目前行业共同需要解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种转接结构、光电组件封装结构和光模块，以满足低成本高速率光电组件的封装要求，有效提高链路的高频性能。
2、为了实现上述目的之一，本申请的实施例公开了如下技术方案：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种转接结构，包括：
4、绝缘部件，具有依次连续的第一侧面、第二侧面和第三侧面，且所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面分别面向不同的方向；
5、导电层，所述导电层至少连续包覆于所述绝缘部件的所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面，并在所述第一侧面形成连续的第一导电面，于所述第二侧面和所述第三侧面设有绝缘间隔，所述绝缘间隔跨所述第二侧面和所述第三侧面延伸，使位于所述第
6、所述第三导电迹线和所述第四导电迹线分别位于所述绝缘间隔的两侧，且均与所述第一导电面相连；所述第一导电迹线和所述第二导电迹线位于所述第三导电迹线和所述第四导电迹线之间，所述第一导电迹线和所述第二导电迹线相互绝缘，且均与所述第一导电面、所述第三导电迹线和所述第四导电迹线绝缘。
7、结合第一方面，所述第一导电迹线具有位于所述第二侧面的第一连接位和位于所述第三侧面的第一接线位，所述第二导电迹线具有位于所述第二侧面的第二连接位和位于所述第三侧面的第二接线位，所述第一连接位和所述第二连接位并排设置，所述第一接线位和所述第二接线位并排设置，且所述第一接线位和所述第二接线位之间的间距小于所述第一连接位和所述第二连接位之间的间距；
8、所述第一导电迹线和所述第二导电迹线在所述第三侧面的一段的迹线宽度分别由临近所述第二侧面边缘向所述第一接线位和所述第二接线位逐渐变小；所述第三导电迹线与相邻的所述第一导电迹线之间的绝缘间隔以及所述第四导电迹线与相邻的所述第二导电迹线之间的绝缘间隔，均由所述第三侧面临近所述第二侧面的边缘向远离所述第二侧面的边缘逐渐变小。
9、结合第一方面，所述绝缘间隔由所述第二侧面临近所述第一侧面的边缘延伸至所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘；所述第一接线位和所述第二接线位均临近所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘。
10、结合第一方面，所述第一接线位和所述第二接线位在二者并排的方向上相对所述第一连接位和所述第二连接位朝向同一旁侧偏移，所述第一导电迹线和所述第二导电迹线分别由所述第一连接位和所述第二连接位逐渐向所述第一接线位和所述第二接线位倾斜延伸。
11、结合第一方面，所述绝缘部件还具有第四侧面，所述第四侧面相对的两边缘分别连接所述第一侧面和所述第三侧面；
12、所述导电层还包括设于所述第四侧面的第二导电面，在所述第一侧面和所述第四侧面的公共边处，所述第二导电面的边缘与所述第一导电面的边缘相连接；在所述第三侧面与所述第四侧面的公共边处，所述第三导电迹线的端部和所述第四导电迹线的端部均与所述第二导电面的边缘相连接。
13、结合第一方面，所述第一导电面完全覆盖所述第一侧面，所述第二导电面完全覆盖所述第四侧面。
14、结合第一方面，所述绝缘部件还包括第五侧面和第六侧面，所述第五侧面和所述第六侧面相对设置，所述第五侧面和所述第六侧面均与所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面连接；
15、所述第五侧面和所述第六侧面为绝缘表面；
16、或者，所述导电层还包括设于所述第五侧面的第三导电面和设于所述第六侧面的第四导电面，所述第三导电面的边缘分别连接所述第一导电面、第二导电面和所述第三导电迹线的侧边，所述第四导电面的边缘分别连接所述第一导电面、第二导电面和所述第四导电迹线的侧边。
17、第二方面，提供了一种光电组件封装结构，包括：
18、金属基座，所述金属基座具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面为承载面；
19、多根引脚，所述多根引脚贯穿所述金属基座的第一表面和第二表面，并与所述金属基座绝缘连接；所述多根引脚至少包括两根差分信号引脚、偏置信号引脚和芯片供电引脚；
20、半导体致冷器，所述半导体致冷器设于所述第一表面上，所述多根引脚围绕所述半导体致冷器布置；
21、芯片基板，设于所述半导体致冷器上，所述芯片基板的表面设有芯片焊盘、两路差分信号迹线、两路接地迹线以及偏置信号迹线和芯片供电迹线；所述偏置信号迹线电连接所述偏置信号引脚，所述芯片供电迹线电连接所述芯片供电引脚；
22、激光器芯片，设于所述芯片焊盘上；
23、转接结构，所述转接结构采用第一方面中任一项所述的转接结构；所述转接结构通过其第一侧面的所述第一导电面导电贴合于所述金属基座的第一表面；所述第二侧面朝向所述两根差分信号引脚，且位于所述第二侧面的所述第一导电迹线和第二导电迹线的端部分别与所述两根差分信号引脚电连接；所述第三侧面与所述芯片基板的上表面同向，位于所述第三侧面的所述第一导电迹线和第二导电迹线的端部分别与所述芯片基板上的所述两路差分信号迹线电连接，位于所述第三侧面的所述第三导电迹线和第四导电迹线的部分分别与所述两路接地迹线电连接。
24、结合第二方面，所述激光器芯片包括激光发射区和电吸收调制区，所述电吸收调制区电连接所述两路差分信号迹线、两路接地迹线以及偏置信号迹线，所述激光发射区电连接所述供电迹线。
25、结合第二方面，所述芯片基板平置于所述半导体致冷器的上表面，所述激光器芯片平置于所述芯片基板上；所述半导体致冷器上还设有转向棱镜，所述激光器芯片的激光发射区产生的激光经所述电吸收调制区调制后输出，并经所述转向棱镜反射后沿垂直于所述第一表面的方向向上输出。
26、结合第二方面，所述半导体致冷器上还设有背光探测器，所述背光探测器设于所述激光器芯片的背光侧，所述背光探测器用于监测所述激光器芯片，所述背光探测器的负电源端与所述芯片供电引脚电连接，所述背光探测器的正电源端与第一表面电连接。
27、第三方面，提供了一种光模块，包括第二方面中任一项所述的光电组件封装结构和电路板，所述光电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种转接结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的转接结构，其特征在于，所述第一导电迹线具有位于所述第二侧面的第一连接位和位于所述第三侧面的第一接线位，所述第二导电迹线具有位于所述第二侧面的第二连接位和位于所述第三侧面的第二接线位，所述第一连接位和所述第二连接位并排设置，所述第一接线位和所述第二接线位并排设置，且所述第一接线位和所述第二接线位之间的间距小于所述第一连接位和所述第二连接位之间的间距；
3.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述绝缘间隔由所述第二侧面临近所述第一侧面的边缘延伸至所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘；所述第一接线位和所述第二接线位均临近所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘。
4.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述第一接线位和所述第二接线位在二者并排的方向上相对所述第一连接位和所述第二连接位朝向同一旁侧偏移，所述第一导电迹线和所述第二导电迹线分别由所述第一连接位和所述第二连接位逐渐向所述第一接线位和所述第二接线位倾斜延伸。
5.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述绝缘部件
6.如权利要求5所述的转接结构，其特征在于，所述第一导电面完全覆盖所述第一侧面，所述第二导电面完全覆盖所述第四侧面。
7.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述绝缘部件还包括第五侧面和第六侧面，所述第五侧面和所述第六侧面相对设置，所述第五侧面和所述第六侧面均与所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面连接；
8.一种光电组件封装结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的光电组件封装结构，其特征在于：所述激光器芯片包括激光发射区和电吸收调制区，所述电吸收调制区电连接所述两路差分信号迹线、两路接地迹线以及偏置信号迹线，所述激光发射区电连接所述供电迹线。
10.根据权利要求9所述的光电组件封装结构，其特征在于：所述芯片基板平置于所述半导体致冷器的上表面，所述激光器芯片平置于所述芯片基板上；所述半导体致冷器上还设有转向棱镜，所述激光器芯片的激光发射区产生的激光经所述电吸收调制区调制后输出，并经所述转向棱镜反射后沿垂直于所述第一表面的方向向上输出。
11.根据权利要求8所述的光电组件封装结构，其特征在于：所述半导体致冷器上还设有背光探测器，所述背光探测器设于所述激光器芯片的背光侧，所述背光探测器用于监测所述激光器芯片，所述背光探测器的负电源端与所述芯片供电引脚电连接，所述背光探测器的正电源端与第一表面电连接。
12.一种光模块，其特征在于，包括如权利要求8-11中任一项所述的光电组件封装结构和电路板，所述光电组件封装结构通过一柔性电路板电连接所述电路板；
...【技术特征摘要】
1.一种转接结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的转接结构，其特征在于，所述第一导电迹线具有位于所述第二侧面的第一连接位和位于所述第三侧面的第一接线位，所述第二导电迹线具有位于所述第二侧面的第二连接位和位于所述第三侧面的第二接线位，所述第一连接位和所述第二连接位并排设置，所述第一接线位和所述第二接线位并排设置，且所述第一接线位和所述第二接线位之间的间距小于所述第一连接位和所述第二连接位之间的间距；
3.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述绝缘间隔由所述第二侧面临近所述第一侧面的边缘延伸至所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘；所述第一接线位和所述第二接线位均临近所述第三侧面相对远离所述第二侧面的边缘。
4.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述第一接线位和所述第二接线位在二者并排的方向上相对所述第一连接位和所述第二连接位朝向同一旁侧偏移，所述第一导电迹线和所述第二导电迹线分别由所述第一连接位和所述第二连接位逐渐向所述第一接线位和所述第二接线位倾斜延伸。
5.如权利要求2所述的转接结构，其特征在于，所述绝缘部件还具有第四侧面，所述第四侧面相对的两边缘分别连接所述第一侧面和所述第三侧面；
6.如权利要求5所述的转接结构，其特征在于，所述第一导电面完全覆盖所述第一侧面，所述第二导电面完全覆盖所述第四侧面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：江桓，陈钢，王祥忠，魏尹，何海峰，
申请(专利权)人：苏州旭创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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