光发射器件制造技术

技术编号:40208199 阅读:14 留言:0更新日期:2024-02-02 22:19
本申请公开了一种光发射器件,包括:金属基座、承载、第一引脚和第二引脚;第一基板和第二基板,第一基板包括第一导电面和第二导电面;第二基板包括第三导电面和第四导电面,第三导电面通过第一引线与第一导电面连接,第四导电面通过第二引线与第二导电面连接;其中,第三导电面通过第三引线与第一引脚连接,第四导电面通过第四引线与第二引脚连接;第二基板通过调节高度,以缩短第一引线、第二引线、第三引线或第四引线的尺寸。本申请提供的光发射器件通过调节第二基板的高度来缩短与第一基板和第二基板之间连接的第一引线和第二引线以及第二基板与第一引脚和第二引脚连接的第三引线和第四引线,从而减小长引线带来的寄生电感对电路的影响。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及光通信,特别涉及一种光发射器件


技术介绍

1、光通信中,光模块通常包括壳体及位于壳体内的光发射器件和电路板。在5g前传低成本需求下,光发射器件通常采用to-can封装,半导体激光器芯片封装于to-can内,用于驱动激光器芯片工作的驱动芯片位于光模块电路板板上,半导体激光器芯片通过to-can的引脚与电路板电连接,且引脚与电路板之间通常采用柔性电路板(fpc)传输电信号和供电,及半导体激光器芯片和驱动芯片间通过较长的走线连接。而随着光通信速率的提高,走线处容易产生寄生电感,严重影响高频信号的质量,同时也会降低驱动芯片和半导体激光器的运行带宽,影响光信号发射器件的性能。

2、随着信息技术的飞速发展,5g前传对光模块的速率要求也越来越高,目前市场通用为采用10gbps的to-can封装25gbps的光发射器件,可满足单通道25gbps的速率需求。但5g前传的海量应用使其对低成本的诉求持续增大,亟需开发更低成本的单通道25gbps或以上速率的光发射器件产品。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种光发射器件,以解决低成本光器件封装中阻抗不匹配,速率难以进一步提高的问题,以期实现更低的成本、且稳定性好、可靠性高,可满足市场对单通道25gbps或以上速率产品的要求。

2、为了实现上述目的之一,本申请的实施例公开了如下技术方案:

3、本申请实施例提供了一种光发射器件,包括:

4、金属基座,所述金属基座包括相背的第一表面和第二表面,以及凸出于所述第一表面的承载柱,所述承载柱具有一承载面,所述承载面与所述第一表面相交叉设置;

5、第一引脚和第二引脚,所述第一引脚和所述第二引脚贯穿所述第一表面和第二表面并与所述金属基座绝缘连接;

6、第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板设于所述承载面上,且所述第二基板位于所述第一基板与所述第一表面之间;

7、激光器芯片,所述激光器芯片设于所述第一基板上;

8、所述第二基板包括相背对的第一面和第二面,所述第一面设有相互绝缘的第一导电面和第二导电面,所述第一导电面和第二导电面分别与所述第一基板电连接,并通过所述第一基板分别电连接所述激光器芯片的正负极;所述第一导电面通过第三引线与所述第一引脚连接,所述第二导电面通过第四引线与所述第二引脚连接;

9、所述第二面设有第三导电面,所述第三导电面分别与所述第一导电面和第二导电面相对设置形成电容,所述第三导电面电连接所述金属基座。

10、进一步的,所述第一基板包括第三面,所述第三面设有相互绝缘的第四导电面和第五导电面,所述第一导电面和所述第二导电面分别与所述第四导电面和所述第五导电面电连接;所述激光器芯片位于所述第四导电面或所述第五导电面上,所述激光器芯片的正负电极分别与所述第四导电面和第五导电面电连接。

11、进一步的,所述第二基板的厚度小于所述第一基板的厚度。

12、进一步的,所述第一基板和第二基板一体成型,所述第二基板的第一面和所述第一基板的第三面形成台阶面;

13、所述第一导电面通过第一引线与所述第四导电面电连接,所述第二导电面通过第二引线与所述第五导电面电连接;或者,所述第一导电面和所述第二导电面分别通过在所述第一基板与第二基板之间的台阶侧壁上设置的导电层电连接所述第四导电面和所述第五导电面;或者,所述第一导电面和所述第二导电面分别通过设于所述第一基板的导电过孔电连接所述第四导电面和所述第五导电面。

14、进一步的,所述第一基板和所述第二基板相互分离;所述第一导电面通过第一引线与所述第四导电面电连接,所述第二导电面通过第二引线与所述第五导电面电连接。

15、进一步的,所述光发射器件还包括导电垫块,所述第二基板设于所述导电垫块上;所述第二基板的第三导电面通过所述导电垫块电连接所述金属基座。

16、进一步的,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所述激光器芯片,所述光接收面用于接收所述激光器芯片的背光;所述第二基板的第一面到所述承载面的高度小于所述激光器芯片背光光轴到所述承载面的高度。

17、进一步的,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所述激光器芯片,所述光接收面用于接收所述激光器芯片的背光;所述第三面到所述承载面的高度大于或等于所述激光器芯片背光光轴到所述承载面的高度,且所述第二基板具有用于通过所述背光的避让空间。

18、进一步的,所述光发射器件还包括导电垫块,所述第二基板包括第一子基板和第二子基板;所述导电垫块位于所述承载面上,所述导电垫块的上表面具有参考地导电层,所述第一子基板和所述第二子基板分别设于所述参考地导电层上;所述第一子基板和所述第二子基板上表面分别设有所述第一导电面和所述第二导电面,所述第一子基板和所述第二子基板之间具有用于通过所述背光的间隔,所述间隔形成所述避让空间。

19、进一步的,所述导电垫块为金属块或导电基板。

20、进一步的,所述第一基板包括第一部分和第二部分,所述第一部分包括第四导电面和第五导电面,所述第四导电面和所述第五导电面用于安装所述激光器芯片;所述第二基板设置于所述第二部分上,所述第二部分具有多个导电通孔,所述第三导电面通过所述导电通孔与所述承载面电连接。

21、进一步的,所述承载面与所述第一表面垂直,所述激光器芯片发出的激光的光轴垂直于所述第一表面,且对照所述第一表面的中心。

22、进一步的,所述光发射器件还包括第一导电块和第二导电块,所述第一导电块和第二导电块分别置于所述第二基板的第一导电面和第二导电面上,所述第三引线和第四引线分别键合于所述第一导电块和第二导电块上。

23、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果:

24、与现有技术相比,本申请的一种光发射器件,包括:金属基座,金属基座包括相背的第一表面和第二表面,以及凸出于第一表面的承载柱,承载柱具有一承载面,承载面与第一表面相交叉设置;第一引脚和第二引脚,第一引脚和第二引脚贯穿第一表面和第二表面并与金属基座绝缘连接;第一基板和第二基板,第一基板和第二基板设于承载面上,且第二基板位于第一基板与第一表面之间;激光器芯片,激光器芯片设于第一基板上;第二基板包括相背对的第一面和第二面,第一面设有相互绝缘的第一导电面和第二导电面,第一导电面和第二导电面分别通过第一引线和第二引线与第一基板电连接;第一导电面通过第三引线与第一引脚连接,第二导电面通过第四引线与第二引脚连接;第二面设有第三导电面,第三导电面分别与第一导电面和第二导电面相对设置形成电容,第三导电面电连接金属基座。本申请提供的光发射器件通过在第二基板形成寄生电容,利用该寄生电容来补偿线路中的产生的电感,从而优化高频线路的阻抗。且第二基板的厚度可以独立于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光发射器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板包括第三面,所述第三面设有相互绝缘的第四导电面和第五导电面,所述第一导电面和所述第二导电面分别与所述第四导电面和所述第五导电面电连接;所述激光器芯片位于所述第四导电面或第五导电面上,所述激光器芯片的正负电极分别与所述第四导电面和第五导电面电连接。

3.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第二基板的厚度小于所述第一基板的厚度。

4.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板和第二基板一体成型,所述第二基板的第一面和所述第一基板的第三面形成台阶面;

5.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板相互分离;所述第一导电面通过第一引线与所述第四导电面电连接,所述第二导电面通过第二引线与所述第五导电面电连接。

6.如权利要求5所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括导电垫块,所述第二基板设于所述导电垫块上;所述第二基板的第三导电面通过所述导电垫块电连接所述金属基座。

>7.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述金属基座的第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所述激光器芯片,所述光接收面用于接收所述激光器芯片的背光;所述第二基板的第一面到所述承载面的高度小于所述激光器芯片背光光轴到所述承载面的高度。

8.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述金属基座的第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所述激光器芯片,所述光接收面用于接收所述激光器芯片的背光;所述第二基板的第一面到所述承载面的高度大于或等于所述激光器芯片背光光轴到所述承载面的高度,且所述第二基板具有用于通过所述背光的避让空间。

9.如权利要求8所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括导电垫块,所述第二基板包括第一子基板和第二子基板;所述导电垫块位于所述承载面上,所述导电垫块的上表面具有参考地导电层,所述第一子基板和所述第二子基板分别设于所述参考地导电层上;所述第一子基板和所述第二子基板上表面分别设有所述第一导电面和所述第二导电面,所述第一子基板和所述第二子基板之间具有用于通过所述背光的间隔,所述间隔形成所述避让空间。

10.如权利要求6或9所述的光发射器件,其特征在于,所述导电垫块为金属块或导电基板。

11.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板包括第一部分和第二部分,所述第一部分设有所述第四导电面和第五导电面,所述第四导电面和所述第五导电面用于安装所述激光器芯片;所述第二基板设置于所述第二部分上,所述第二部分具有多个导电通孔,所述第二基板的第三导电面通过所述导电通孔与所述承载面电连接。

12.如权利要求1-9或11任一项所述的光发射器件,其特征在于,所述承载面与所述第一表面垂直,所述激光器芯片发出的激光的光轴垂直于所述第一表面,且对准所述第一表面的中心。

13.如权利要求1-9或11任一项所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括第一导电块和第二导电块,所述第一导电块和第二导电块分别置于所述第二基板的第一导电面和第二导电面上,所述第三引线和第四引线分别键合于所述第一导电块和第二导电块上。

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【技术特征摘要】

1.一种光发射器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板包括第三面,所述第三面设有相互绝缘的第四导电面和第五导电面,所述第一导电面和所述第二导电面分别与所述第四导电面和所述第五导电面电连接;所述激光器芯片位于所述第四导电面或第五导电面上,所述激光器芯片的正负电极分别与所述第四导电面和第五导电面电连接。

3.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第二基板的厚度小于所述第一基板的厚度。

4.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板和第二基板一体成型,所述第二基板的第一面和所述第一基板的第三面形成台阶面;

5.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板相互分离;所述第一导电面通过第一引线与所述第四导电面电连接,所述第二导电面通过第二引线与所述第五导电面电连接。

6.如权利要求5所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括导电垫块,所述第二基板设于所述导电垫块上;所述第二基板的第三导电面通过所述导电垫块电连接所述金属基座。

7.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述金属基座的第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所述激光器芯片,所述光接收面用于接收所述激光器芯片的背光;所述第二基板的第一面到所述承载面的高度小于所述激光器芯片背光光轴到所述承载面的高度。

8.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于,所述光发射器件还包括背光探测器芯片,所述背光探测器芯片位于所述金属基座的第一表面,所述背光探测器芯片的光接收面朝向所...

【专利技术属性】
技术研发人员:江桓陈钢何海峰魏尹王祥忠
申请(专利权)人:苏州旭创科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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