一种基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法技术

本发明专利技术公开了一种基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法，包括：根据GaN Fin HEMT器件的结构，得到GaN Fin HEMT器件的等效电路；等效电路中包含：栅极的寄生电阻R<subgt;g</subgt;与寄生电感L<subgt;g</subgt;、漏极的寄生电阻R<subgt;d</subgt;与寄生电感L<subgt;d</subgt;、源极的寄生电阻R<subgt;s</subgt;与寄生电感L<subgt;s</subgt;、栅源电容C<subgt;gs</subgt;、栅漏电容C<subgt;gd</subgt;、栅源电阻R<subgt;gs</subgt;、栅漏电阻R<subgt;gd</subgt;、沟道电阻R<subgt;ds</subgt;、漏源电容C<subgt;ds</subgt;、本征跨导gm和本征栅电容C<subgt;g</subgt;；分别确定R<subgt;g</subgt;、L<subgt;g</subgt;、R<subgt;d</subgt;、L<subgt;d</subgt;、R<subgt;s</subgt;与L<subgt;s</subgt;的值；分别确定C<subgt;gs</subgt;、C<subgt;gd</subgt;、R<subgt;gs</subgt;、R<subgt;gd</subgt;、R<subgt;ds</subgt;、C<subgt;ds</subgt;、gm和C<subgt;g</subgt;的值，得到GaN Fin HEMT器件的电路模型。本发明专利技术能够提升电路模型对GaN Fin HEMT器件的本征参数非线性特性的表征精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种基于器件结构的高精度gan fin hemt建模方法。

技术介绍

1、电子信息产业对于我国的经济发展来说至关重要，微电子技术则是该产业的重中之重。氮化镓(gan)作为第三代宽禁带半导体材料的代表，具有禁带宽度较宽、高电子饱和速度、高击穿电压等特性，在航天、雷达、通讯中得到了广泛应用。由于各个领域的应用，推动了gan hemt工程化应用的进程。

2、对于gan hemt来说，利用fin结构的多维度栅控的优势并结合栅介质，能够改善亚阈值斜率，降低关态泄露电流密度，并提高击穿电压，具有功率电子方面的应用潜力。同时，fin结构器件在高线性方面也具有较好的应用潜力。新型结构的器件在应用时，器件模型是至关重要的。器件模型的拓扑结构需要根据器件结构进行调整，需要能够准确表征器件特性。因此，需要针对gan fin hemt进行小信号模型建立，能够理想表征器件特性，实现器件在电路设计中的应用。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中所存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于器件结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法，其特征在于，Cgs包括：Cgs1和Cgs2；Cgd包括：Cgd1和Cgd2；在所述等效电路中，Lg、Rg和Cg依次串联，且Lg未跟Rg连接的一端作为所述等效电路的第一端；Ld、Rd和Rds依次串联，且Ld未跟Rd连接的一端作为所述等效电路的第二端；Ls、Rs和gm依次串联，且Ls未跟Rs连接的一端作为所述等效电路的第三端；Cgd1的一端和Cgd2的一端均与Cg未跟Rg连接的一端相连接，Cgd1的另一端与Rgd的...

【技术特征摘要】

1.一种基于器件结构的高精度gan fin hemt建模方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于器件结构的高精度gan fin hemt建模方法，其特征在于，cgs包括：cgs1和cgs2；cgd包括：cgd1和cgd2；在所述等效电路中，lg、rg和cg依次串联，且lg未跟rg连接的一端作为所述等效电路的第一端；ld、rd和rds依次串联，且ld未跟rd连接的一端作为所述等效电路的第二端；ls、rs和gm依次串联，且ls未跟rs连接的一端作为所述等效电路的第三端；cgd1的一端和cgd2的一端均与cg未跟rg连接的一端相连接，cgd1的另一端与rgd的一端相连接，cgd2的另一端与rgd的另一端相连接，rgd的另一端还同时与gm未跟rs连接的一端、cds的一端以及rds跟rd连接的一端相连接，cds的另一端与rds未跟rd连接的一端相连接，cgd2跟cg连接的一端还同时与rgs的一端和cgs2的一端相连接，rgs的另一端与cgs1的一端相连接，cgs1的另一端和cgs2的另一端还均与rs未跟ls连接的一端相连接。

3.根据权利要求1所述的基于器件结构的高精度gan fin hemt建模方法，其特征在于，cgs包括：cgs1和cgs2；cgd包括：cgd1和cgd2；所述分别确定cgs、cgd、rgs、rgd、rds、cds、gm和cg的值，包括：

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵子越，韩红波，卢阳，徐鑫，刘成伟，
申请(专利权)人：陕西华芯睿熠电子有限公司，
类型：发明
国别省市：