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本发明公开了一种基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法，包括：根据GaN Fin HEMT器件的结构，得到GaN Fin HEMT器件的等效电路；等效电路中包含：栅极的寄生电阻R<subgt;g</subgt;与寄...
该专利属于陕西华芯睿熠电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西华芯睿熠电子有限公司授权不得商用。

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