【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体,特别涉及一种基于sic器件的封装结构。
技术介绍
1、sic(碳化硅)是一种由硅(si)和碳(c)构成的化合物半导体材料,不仅绝缘击穿场强是si的10倍,带隙是si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越si极限的功率器件用材料,随着sic技术的发展,其在功率器件的制作使用越来越广泛,而在对sic器件制作生产过程中,通常需辅助配备封装结构,以对sic芯片进行封装,例如现有专利技术所示:经检索,中国专利网公开了一种基于to-247封装的sic器件封装结构(公开公告号cn208521919u),此类装置通过使用铜带代替多根铜丝进行连接,使得本技术可承担足够大的电流与电压,合格率高,可靠性好。
2、但是,针对上述公开专利以及现有市场所采取的sic器件封装结构,还存在一些不足之处:现有采用垂直插放的引脚,一方面极易由于运输等原因出现弯折、绷断的情况,安全运输性能较为低下,另一方面极易在安装使用过程中,受到横向触碰推力,导致引脚插接端出现弯曲、断裂的情况,安全使用性较为低下。为此,本领域技术人员提供了一种基于sic器件的封装结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种基于sic器件的封装结构,可以有效解决
技术介绍
中现有sic器件封装结构引脚以弯曲、绷断的问题。
2、为实现上述目的,本技术采取的技术方案为:一种基于sic器件的封装结构,包括下框架、上框架、芯片;
...【技术保护点】
1.一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,包括下框架(1)、上框架(2)、芯片(3);
2.根据权利要求1所述的一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,所述封装腔(13)与压盖腔(22)的对合腔大小与芯片(3)的大小相同。
3.根据权利要求1所述的一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,所述对压腔(12)的腔室内径与上封盖(21)的板架外径相适配,且对压腔(12)与上封盖(21)的对合面涂抹有环氧树脂胶。
4.根据权利要求1所述的一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,所述填装树脂(24)为高导热性聚氨酯树脂,且填装树脂(24)的填充厚度不低于3mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,所述引脚(33)的引脚端设置有插接端子。
6.根据权利要求1所述的一种基于SIC器件的封装结构,其特征在于,所述下封盖(11)的四个边角端均开设有安装插孔。
【技术特征摘要】
1.一种基于sic器件的封装结构,其特征在于,包括下框架(1)、上框架(2)、芯片(3);
2.根据权利要求1所述的一种基于sic器件的封装结构,其特征在于,所述封装腔(13)与压盖腔(22)的对合腔大小与芯片(3)的大小相同。
3.根据权利要求1所述的一种基于sic器件的封装结构,其特征在于,所述对压腔(12)的腔室内径与上封盖(21)的板架外径相适配,且对压腔(12)与上封盖(21)的对合面涂抹...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丕龙,王新强,杨玉珍,
申请(专利权)人:青岛佳恩半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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