System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光元件及用于发光元件的胺化合物制造技术_技高网

发光元件及用于发光元件的胺化合物制造技术

技术编号:40500908 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-26 19:28
本公开涉及发光元件及用于发光元件的胺化合物,并且实施方式的发光元件包括第一电极,在第一电极上的第二电极,以及在第一电极和第二电极之间的至少一个功能层,其中在至少一个功能层中包括由式1表示的胺化合物,从而改善所述发光元件的发射效率和元件寿命。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式在本文中涉及发光元件及用于发光元件的胺化合物,并且例如,涉及在功能层中包括胺化合物的发光元件。


技术介绍

1、最近,作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发正在积极进行。有机电致发光显示装置为所谓的包括自发光类型发光元件的显示装置,在自发光类型发光元件中从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子在发射层中复合使得发射层中的发光材料发射光以实现显示。

2、在将发光元件应用至显示装置中时,期望增加发射效率和寿命,并且一直在研究稳定实现这些要求的用于发光元件的材料的开发。

3、例如,为了实现具有高发射效率和长寿命的发光元件,正在开发用于具有卓越的空穴传输性质和稳定性的空穴传输区的材料。


技术实现思路

1、本公开的实施方式提供示出高发射效率和长寿命特性的发光元件和包括在发光元件中的胺化合物。

2、根据本公开的实施方式的发光元件包括第一电极,在第一电极上的第二电极,以及在第一电极和第二电极之间并且包括由式1表示的胺化合物的至少一个功能层。

3、式1

4、

5、在式1中,x1为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,或者由式2表示,x2为取代的或未取代的1至4个碳原子的烷基,或者由式2表示,x3至x8各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,选自x1和x2中的任何一个由式2表示,当x1由式2表示时,x2为取代的或未取代的1至4个碳原子的烷基,并且当x2由式2表示时,选自x1和x3中的任何一个为取代的或未取代的1至4个碳原子的烷基。

6、式2

7、

8、在式2中,r1至r4各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,y1为取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,n1为0至3的整数,n2为0至4的整数,并且“-*”为与式1连接的位置。

9、在根据本公开的实施方式的发光元件中,至少一个功能层可包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区、以及在发射层和第二电极之间的电子传输区,并且空穴传输区可包括由式1表示的胺化合物。

10、在实施方式中,空穴传输区可包括在第一电极上的空穴注入层和在空穴注入层上的空穴传输层,并且空穴传输层可包括由式1表示的胺化合物。由式1表示的胺化合物可为单胺化合物。

11、在式2中,y1可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基或者取代的或未取代的咔唑基。

12、在实施方式中,由式1表示的胺化合物可由选自式1-1至式1-3中的任何一个表示。

13、式1-1

14、

15、式1-2

16、

17、式1-3

18、

19、在式1-1至式1-3中,xa、xb和xc各自独立地为取代的或未取代的1至4个碳原子的烷基,x11至x16、x21至x26和x31至x36各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,并且r1至r4、n1、n2和y1可与参照式2限定的相同。在式1-1至式1-3中,xa至xc可各自独立地为取代的或未取代的甲基,并且x11至x16、x21至x26和x31至x36可各自独立地为氢原子或氘原子。

20、在实施方式中,由式1表示的取代基可由式2-1表示。

21、式2-1

22、

23、在式2-1中,r1至r4、n1、n2和y1与参照式2限定的相同。

24、在实施方式中,由式2表示的取代基可由式2-2表示。

25、式2-2

26、

27、在式2-2中,r21和r22各自独立地为氢原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基或者取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基,并且r1、r3、r4、n1和y1可与参照式2限定的相同。

28、在实施方式中,由式2表示的取代基可由式2-3表示。

29、式2-3

30、

31、在式2-3中,r5为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基,或者与相邻基团结合以形成环,m1为0至5的整数,并且r1至r4、n1和n2可与参照式2限定的相同。

32、根据本公开的实施方式的胺化合物可由式1表示。

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【技术保护点】

1.一种胺化合物,所述胺化合物由下述式1表示:

2.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在式2中,Y1为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基或者取代的或未取代的咔唑基。

3.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式1表示的所述胺化合物由选自下述式1-1至式1-3中的任何一个表示:

4.根据权利要求3所述的胺化合物,其中,在式1-1至式1-3中,Xa至Xc各自独立地为取代的或未取代的甲基。

5.根据权利要求3所述的胺化合物,其中,在式1-1至式1-3中,X11至X16、X21至X26和X31至X36各自独立地为氢原子或氘原子。

6.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式2表示的取代基由下述式2-1表示:

7.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式2表示的取代基由下述式2-2表示:

8.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式2表示的取代基由下述式2-3表示:

9.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式1表示的所述胺化合物由选自下述化合物组1的化合物中的任何一个表示

10.一种发光元件,包括:

11.根据权利要求10所述的发光元件,其中所述至少一个功能层包括发射层,在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区,以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区,并且

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【技术特征摘要】

1.一种胺化合物,所述胺化合物由下述式1表示:

2.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在式2中,y1为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基或者取代的或未取代的咔唑基。

3.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由式1表示的所述胺化合物由选自下述式1-1至式1-3中的任何一个表示:

4.根据权利要求3所述的胺化合物,其中,在式1-1至式1-3中,xa至xc各自独立地为取代的或未取代的甲基。

5.根据权利要求3所述的胺化合物,其中,在式1-1至式1-3中,x11至x16、x21至x26和x31至x36各自独立地为氢原子或氘原子。

【专利技术属性】
技术研发人员:金珉知朴韩圭朴炫彬俞炳旭李政珉赵素嬉
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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