半导体器件制造技术

一种半导体器件包括第一单元阵列和第二单元阵列。第一单元阵列包括：第一栅电极，沿竖直方向延伸；第一栅电极的侧表面上的第一沟道图案；以及第一位线，电连接到第一沟道图案。第二单元阵列包括：第二栅电极，沿竖直方向延伸；第二栅电极的侧表面上的第二沟道图案；以及第二位线，电连接到第二沟道图案。第一位线焊盘电连接到第一位线，并且第二位线焊盘电连接到第二位线。第一位线焊盘与第二位线焊盘通过第一单元阵列和第二单元阵列间隔开，第一单元阵列和第二单元阵列介于第一位线焊盘与第二位线焊盘之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地涉及包括铁电场效应晶体管的半导体存储器件及其制造方法。

技术介绍

1、半导体存储器件可以分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在其电源被中断时可能丢失其存储的数据。例如，易失性存储器件可以包括动态随机存取存储(dram)器件和静态随机存取存储(sram)器件中的至少一种。非易失性存储器件即使在其电源被中断时也可以保留其存储的数据。例如，非易失性存储器件可以包括可编程rom(prom)、可擦除prom(eprom)、电eprom(eeprom)和/或闪存器件中的至少一种。诸如磁随机存取存储(mram)器件和/或相变随机存取存储(pram)器件之类的下一代半导体存储器件已经被开发以提供高性能和/或低功耗半导体存储器件。此外，随着半导体器件的高度集成，进行了各种研究以克服半导体器件的制造工艺的限制。

技术实现思路

1、本专利技术构思的一个目的是提供一种易于高度集成的半导体器件及其制造方法。

2、本专利技术构思的一个目的是提供一种具有优本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一位线和所述第二位线在所述第一方向上彼此间隔开并沿所述第三方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一位线焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一位线在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二位线焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第二位线在所述第一方向上的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一单元阵列还包括与所述对应的第一沟道图案电连接的第一源极线，并且

6.根据权利要求5所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一位线和所述第二位线在所述第一方向上彼此间隔开并沿所述第三方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一位线焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一位线在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二位线焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第二位线在所述第一方向上的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一单元阵列还包括与所述对应的第一沟道图案电连接的第一源极线，并且

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二单元阵列还包括与所述对应的第二沟道图案电连接的第二源极线，并且

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一位线、所述第一源极线、所述第二位线和所述第二源极线在所述第一方向上彼此间隔开并沿所述第三方向延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一位线焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一位线在所述第一方向上的宽度，并且

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二位线焊盘在所述第一方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李气炘，金容锡，金炫哲，明一镐，河大元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：