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一种半导体器件包括第一单元阵列和第二单元阵列。第一单元阵列包括：第一栅电极，沿竖直方向延伸；第一栅电极的侧表面上的第一沟道图案；以及第一位线，电连接到第一沟道图案。第二单元阵列包括：第二栅电极，沿竖直方向延伸；第二栅电极的侧表面上的第二沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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