【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例大体上涉及电子系统，并且更具体地涉及鳍式场效应晶体管装置及其形成。
技术介绍
1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要功率来维护其数据，并且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态ram(sram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等等。非易失性存储器可在不被供电时保持所存储数据，并且包含快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁阻式随机存取存储器(mram)或三维(3d)xpointtm存储器等等。存储器装置和其它电子装置的性质可通过增强例如鳍式场效应晶体管(finfet)等电子装置的组件的设计和制造而得以改进。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供一种晶体管。所述晶体管包括：源极区，其位于衬底中；漏极区，其位于所述衬底中；一或多个鳍片结构，其在所述源极区与所述漏极区之间，所述一或多个鳍片结构从所述源极区的顶部层级且从所述漏极区的顶部层级凹陷，所述一或多个鳍片结构中的每一鳍片结构具有尖端区；以及栅极，其从所述源极区的所述顶部层级和所述漏极区的所述顶部层级凹陷，所述栅极通过栅极电介质与所述一或多个鳍片结构的所述尖端区分离，所述栅极电介质限定所述源极区与所述漏极区之间的沟道。
<...【技术保护点】
1.一种晶体管，其包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极的顶部在所述源极区和所述漏极区的下部部分内的层级处。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区的接合部延伸到低于所述栅极的顶部的层级。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区的接合部延伸到高于所述栅极的顶部的层级。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极包含氮化钛、氮化钽、钨、钼、钌、多晶硅或其组合中的一或多者。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质包含介电常数大于3.9的电介质。
7.一种存储器装置，其包括：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述栅极的顶部在所述源极区和所述漏极区的下部部分内的层级处。
9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述栅极的材料具有与到所述阵列的所述存储器单元的存取线的材料相同的组成。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述栅极包含氮化钛、氮化钽、钨、钼、钌、多晶硅或其组合中的一或多者。
11.根据权利要求7所述的
12.一种方法，其包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述鳍片结构包含在存储器装置的外围到存储器阵列中形成所述鳍片结构。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述鳍片结构包含在形成用于所述存储器阵列的存储器单元的存取线的同时形成所述鳍片结构。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述栅极包含与形成用于所述存储器阵列的所述存储器单元的栅极结构分开地形成所述栅极。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述方法包含形成具有与形成用于所述存储器阵列的存储器单元的存取线不同的深度或形状的所述鳍片结构。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述方法包含：
18.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述栅极包含形成n+多晶硅或p+多晶硅。
19.根据权利要求13所述的方法，其中在所述鳍片结构的所述尖端区上形成所述栅极电介质包含：
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法包含在所述栅极电介质上形成用于所述栅极的材料，以及去除用于所述栅极的所述材料的部分，以使得所述栅极的顶部处于选定凹陷层级。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极的顶部在所述源极区和所述漏极区的下部部分内的层级处。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区的接合部延伸到低于所述栅极的顶部的层级。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区的接合部延伸到高于所述栅极的顶部的层级。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极包含氮化钛、氮化钽、钨、钼、钌、多晶硅或其组合中的一或多者。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质包含介电常数大于3.9的电介质。
7.一种存储器装置，其包括：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述栅极的顶部在所述源极区和所述漏极区的下部部分内的层级处。
9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述栅极的材料具有与到所述阵列的所述存储器单元的存取线的材料相同的组成。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述栅极包含氮化钛、氮化钽、钨、钼、钌、多晶硅或其组合中的一或多者。
11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中到所述栅极的互连金属的材料具有与所述阵列中的数...
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