【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及对半导体晶圆等被处理体进行保持的真空卡盘、静电卡盘等吸附构件及其制造方法。
技术介绍
1、以往，半导体晶圆等被处理体在制造装置、检查装置中被保持在真空卡盘、静电卡盘等吸附构件上。在将被处理体载置于吸附构件的载置面的情况下，有时因被处理体的背面与吸附构件的载置面的摩擦而产生的微粒附着于被处理体或者进入到存在于吸附构件的载置面的伤痕、气孔等的微粒在振动等外部干扰的作用下散发地再次附着于被处理体。
2、为了解决这种问题，在专利文献1中提出在被处理体的载置面形成有氧化钇(y2o3)膜的工作台。而且，还记载有该氧化钇(y2o3)膜具有由y2o3构成的多个突起。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2015-23168号公报
技术实现思路
1、本公开的吸附构件具备由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板、以及形成于该基板的表面的多个突起部，突起部具有：载置部，其具有用于载置被处理体的载置面；以及支承部，其支承该载置部，载置部由作为主要成分而包含从碳化硅、类金刚石碳(以下，称作dlc)、非晶质硅、钼、铬以及钽中选出的至少一种的膜构成，膜在每个突起部彼此独立。
2、本公开的上述吸附构件的制造方法包括以以下的顺序进行的各工序：
3、(1)在由作为主要成分而包含碳化硅的陶瓷构成的基板的表面形成凹部以及作为该凹部的剩余部分的凸部；
4、(2)将作为主要成分而包含从碳化硅、dlc、非晶质硅、
5、(3)对膜实施磨削以及研磨中的至少任一种加工直到凸部的上表面露出，从而将膜断开；以及
6、(4)通过将凸部去除，从而得到具备基板以及突起部的吸附构件。
7、本公开提供使用上述吸附构件而成的加工装置以及检查装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种吸附构件，其中，
2.根据权利要求1所述的吸附构件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的吸附构件，其中，
4.根据权利要求3所述的吸附构件，其中，
5.根据权利要求3或4所述的吸附构件，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附构件，其中，
7.根据权利要求6所述的吸附构件，其中，
8.根据权利要求6或7所述的吸附构件，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的吸附构件，其中，
10.根据权利要求9所述的吸附构件，其中，
11.根据权利要求9或10所述的吸附构件，其中，
12.根据权利要求11所述的吸附构件，其中，
13.根据权利要求11或12所述的吸附构件，其中，
14.根据权利要求10～13中任一项所述的吸附构件，其中，
15.根据权利要求14所述的吸附构件，其中，
16.根据权利要求14或15所述的吸附构件，其中，
17.根据权利要求1～16中任一项所述的吸附构件，其中
18.根据权利要求9所述的吸附构件，其中，
19.一种吸附构件的制造方法，其为权利要求1～18中任一项所述的吸附构件的制造方法，其中，
20.一种加工装置，其中，
21.一种检查装置，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种吸附构件，其中，
2.根据权利要求1所述的吸附构件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的吸附构件，其中，
4.根据权利要求3所述的吸附构件，其中，
5.根据权利要求3或4所述的吸附构件，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附构件，其中，
7.根据权利要求6所述的吸附构件，其中，
8.根据权利要求6或7所述的吸附构件，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的吸附构件，其中，
10.根据权利要求9所述的吸附构件，其中，
11.根据权利要求9或10所述的吸附构件，其中，
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