【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及氮化物系半导体发光元件。
技术介绍
1、以往，氮化物系半导体发光元件就被用于加工装置等的光源。在加工装置的光源中需要更高的输出以及效率。为了使氮化物系半导体发光元件高效化，例如有已知的降低工作电压的技术(例如，参照专利文献1等)。
2、(现有技术文献)
3、(专利文献)
4、专利文献1日本特开2018-50021号公报
5、在氮化物系半导体发光元件中要想降低工作电压，有效的方法是减少p型包覆层的膜厚。然而，伴随着p型包覆层的膜厚的减少，则在层叠方向(即各半导体层的生长方向)上的光强分布的峰值就会从活性层向n型包覆层移动。因此，针对活性层的光学限制因子就会降低，从而光输出的热饱和水平也会降低。因此，实现氮化物系半导体发光元件的高输出是困难的。
技术实现思路
1、本公开为了解决这种课题，目的在于提供一种既能够降低工作电压，又能够提高针对活性层的光学限制因子的氮化物系半导体发光元件。
2、为了解决上述课题，本公开所涉及的氮化物系半导体发光元件的一个方式为具备半导体层叠体，所述氮化物系半导体发光元件使光从垂直于所述半导体层叠体的层叠方向的端面射出，所述半导体层叠体具有：n型第1包覆层；n侧引导层，被配置在所述n型第1包覆层的上方；活性层，被配置在所述n侧引导层的上方，该活性层包括阱层和势垒层，且具有量子阱结构；p侧引导层，被配置在所述活性层的上方；以及p型包覆层，被配置在所述p侧引导层的上方，所述p侧引导层的带隙能量随着
3、通过本公开，能够提供一种既能够降低工作电压又能够提高针对活性层的光学限制因子的氮化物系半导体发光元件。
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1.一种氮化物系半导体发光元件，具备半导体层叠体，所述氮化物系半导体发光元件使光从垂直于所述半导体层叠体的层叠方向的端面射出，
2.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，
3.如权利要求2所述的氮化物系半导体发光元件，
4.如权利要求2或3所述的氮化物系半导体发光元件，
5.如权利要求2至4的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
6.如权利要求1至5的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
7.如权利要求1至6的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
8.如权利要求1至7的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
9.如权利要求1至8的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
10.如权利要求1至9的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
11.如权利要求1至10的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
12.如权利要求1至11的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
13.如权利要求1至12的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
14.如
15.如权利要求1至14的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物系半导体发光元件，具备半导体层叠体，所述氮化物系半导体发光元件使光从垂直于所述半导体层叠体的层叠方向的端面射出，
2.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，
3.如权利要求2所述的氮化物系半导体发光元件，
4.如权利要求2或3所述的氮化物系半导体发光元件，
5.如权利要求2至4的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
6.如权利要求1至5的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
7.如权利要求1至6的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，
8.如权利要求1至7的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高山彻，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：
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